Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Получение оптических пленок оксида цинка магнетронным распылением на постоянном и переменном токе
- Авторы
- Вольпян Олег Дмитриевич o.d.volpian@rambler.ru, начальник лаборатории, ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», Москва, Россия Тел. 8 (495) 720-54-64
Обод Юрий Александрович o.d.volpian@rambler.ru, ведущий инженер, ФГУП «НИИ "Полюс"» им. М. Ф. Стельмаха, Россия, 117342, Москва, ул. Введенского, 3. Тел. (495) 720-54-64
Яковлев Петр Петрович o.d.volpian@rambler.ru, ведущий научный сотрудник, ФГУП «НИИ "Полюс"» им. М. Ф. Стельмаха, Россия, 117342, Москва, ул. Введенского, 3. Тел. (495) 720-54-64
- В разделе
- ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
- Ключевые слова
- магнетронное распыление / оптические свойства / пленки оксида цинка
- Год
- 2010 номер журнала 3 Страницы 24 - 30
- Индекс УДК
- УДК 539.234:621.52
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Исследовано влияние концентрации кислорода и давления плазмообразующего газа на элементный состав и оптические свойства пленок окиси цинка, полученных магнетронным распылением Zn-мишени и в Ar:O2-среде постоянным и импульсным током ультразвуковой частоты. Изложены вычислительные процедуры для определения дисперсионных зависимостей показателей преломления и поглощения и ширины запрещенной зоны.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Minami T., Nanto H., Shooji S., Takata S.// Thin solid films. 1984. V. 111. No. 2. P. 167.
Ghos S., Sarkar A., Chaudhuri S., Pal A. K.// Vacuum. 1991. V. 42. No. 10/11. P. 645.
Jayaraj M. K., Antony A., Ramachandran M.// Bull. Mater. Sci., 2002. V. 25. No. 3. P. 227.
Kon M., Keun P. K., Shigesato Y., Frash P., Akio M., Susu-ki K.// Japanese J. Appl. Phys. 2002. V. 41. P. 814.
Зима В. Н., Белянин А. Ф.// Техника средств связи. Сер. ТПО. 1987. Вып. 1. С. 71.
Белянин А. Ф., Кривченко В. А., Лопаев Д. В., Павлушкин Л. В., Пащенко П. В. и др.// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2006. № 6. С. 48-55.
Liu D.-S., Wu C.-Y., Sheu C.-S., Tsai F.-C., Li C. H.// Japanese J. Appl. Phys. 2006. V. 45. P. 3531.
Новодворский О. А., Горбатенко Л. С., Панченко В. Я., Храмова О. Д. и др.// Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. Вып. 4. С. 439.
Кривченко В. А., Лопаев Д. В., Пащенко П. В., Пирогов В. Г., Рахимов А. Т. и др.// Журнал техн. физики. 2008. Т. 28. Вып. 8. С. 107.
Грузинцев А. Н., Волков В. Т., Бартхоу К., Беналул П.// Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36. Вып. 6. С. 741.
Грузинцев А. Н., Волков В. Т., Якимов Е. Е.// Там же. 2003. Т. 37. Вып. 3. С. 275.
Кошеверский Е. В., Левчук Е. А., Новопашин В. В., Яковлев П. П.// Лазерная техника и оптоэлектроника. 1993. Вып. 3-4. С. 55.
Сердобинцев А. А., Веселов А. Г., Кирясова О. А.// Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. Вып. 4. С 496.
Вольпян О. Д., Яковлев П. П.// Оптический журнал. 1999. № 1. С. 79.
Вольпян О. Д., Кузьмичев А. И.// Прикладная физика. 2008. № 3. С. 34.
Subramanyam T. K., Srinivasulu Naidu B., Uthanna S.// Cryst. Res. Technol. 2000. V. 35. No. 10. P. 1103.
Вольпян О. Д., Яковлев П. П., Мешков Б. Б., Обод Ю. А.// Оптический журнал. 2003. Т. 70. № 9. С. 88.
Яковлев П. П., Мешков Б. Б. Проектирование интерференционных покрытий. - М.: Машиностроение, 1986. - 186 с.
Вольпян О. Д., Яковлев П. П.// Оптика и спектроскопия. 2002. Т. 92. № 1. С. 116.
Temple P. A.// Proc. Soc. Photo-Opt. Instrum. Eng. 1986. V. 652. P. 272.
Gümüs G., Ozkendir O. M., Kavak H., Ufuktere Y.// Journal of optoelectronics and advanced materials. 2006. V. 8. No. 1. P. 299.
Сереленко М. М.// Оптический журнал. 1999. Т. 66. № 1. С . 29.
Demichelis F., Kariadakis G., Tagliaferro A., Tresso E.// Appl. Opt. 1987. V. 26. No. 9. P. 1737.
Lan W., Liu Y., Zhang M., Wang B., Yan H., Wang Y.// Materials latters. 2007. V. 61. P. 2262.
- Купить
