Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе материала кадмий-ртуть-теллур, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Авторы
- Войцеховский Александр Васильевич vav@elefot.tsu.ru, зав. кафедрой, Томский государственный университет, Россия, 634050, Томск, пр. Ленина, 36. Тел. (3822) 41-27-72
Дворецкий Сергей Алексеевич ifp@isp.nsc.ru, ведущий научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск, Россия, Россия, 630090, г. Новосибирск, пp. Ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 333-39-50. Факс: (383) 333-27-71
Михайлов Николай Николаевич ifp@isp.nsc.ru, старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск, Россия, Россия, 630090, г. Новосибирск, пp. Ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 333-39-50. Факс: (383) 333-27-71
Васильев Владимир Васильевич ifp@isp.nsc.ru, зав. лабораторией, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 330-49-67
Варавин Василий Семенович ifp@isp.nsc.ru, старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 330-49-67
Сидоров Юрий Георгиевич ifp@isp.nsc.ru, зав. отделом, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 330-49-67
Якушев Максим Витальевич ifp@isp.nsc.ru, старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 330-49-67
Несмелов Сергей Николаевич vav@elefot.tsu.ru, старший научный сотрудник, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт при Томском госуниверситете", Россия, 634050, Томск, пл. Новособорная, 1
Дзядух Станислав Михайлович vav@elefot.tsu.ru, младший научный сотрудник, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт при Томском госуниверситете", Россия, 634050, Томск, пл. Новособорная, 1
Машуков Юрий Петрович ifp@isp.nsc.ru, ведущий инженер, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- фотосигнал / носители заряда / пространственный заряд / покрытия
- Год
- 2010 номер журнала 3 Страницы 119 - 123
- Индекс УДК
- УДК 621.315
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Методом малосигнальной фотоЭДС проведены исследования полевой и частотной зависимостей фотосигнала для МДП-структур на основе варизонного материала кадмий-ртуть-теллур (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Определено время жизни неосновных носителей заряда в области пространственного заряда КРТ для различных составов рабочего слоя и различных диэлектрических покрытий. Для МДП-структур на основе HgCdTe/CdTe, HgCdTe/CdTe/SiO2/Si3N4 и HgCdTe/CdTe/ZnTe n- и p-типов проводимости определен вид зависимости малосигнальной фотоЭДС от напряжения при использовании в качестве функционального диэлектрика слоев CdTe, сформированных в процессе выращивания гетероэпитаксиальных структур.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Рогальский А. Инфракрасные детекторы: Пер. с англ./ Под ред. А. В. Войцеховского. - Новосибирск: Наука, 2003.
Овсюк В. Н., Курышев Г. Л., Сидоров Ю. Г. и др. Матричные фотоприемники инфракрасного диапазона. - Новосибирск: Наука, 2001.
Войцеховский А. В., Давыдов В. Н. Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников. - Томск: Радио и связь, 1990.
- Купить
