Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Метод неразрушающего контроля надежности PIN-фотодиодов по вольт-амперным характеристикам
- Авторы
- Кондратенко Владимир Степанович precisetech@mail.ru; ond491@yandex.ru, профессор, зав. кафедрой, Московский государственный университет приборостроения и информатики, Россия, 107996, Москва, ул. Стромынка, 20. Тел. (499) 269-46-88
Куроедов Александр Вениаминович precisetech@mail.ru; ond491@yandex.ru, доцент, Московский государственный университет приборостроения и информатики, Россия, 107996, Москва, ул. Стромынка, 20. Тел. (499) 269-46-88
Рыжиков Игорь Вениаминович precisetech@mail.ru; ond491@yandex.ru, профессор, Московский государственный университет приборостроения и информатики, Россия, 107996, Москва, ул. Стромынка, 20. Тел. (499) 269-46-88
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- "идеальный" и "неидеальный" PIN-фотодиод / охранное кольцо / параметрический отказ / вольт-амперная характеристика / m- и n-параметры / диагностика / надежность
- Год
- 2010 номер журнала 2 Страницы 67 - 73
- Индекс УДК
- УДК 535.376
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Метод диагностики PIN-фотодиодов с охранным кольцом, основанный на анализе вольт-амперных характеристик и дифференциальных m- и n-параметров, был разработан для установления механизмов деградации при испытаниях на длительную наработку (life time) и контроля надежности "идеальных" и "неидеальных" фотодиодов с дефектами, приводящими к параметрическим отказам.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Sah S. T., Noyce R. N., Schokley W. Carrier generation and recombination in p-n-junctions and p-n-junction characteristics//Proc. IRE. 1957. V. 45. P. 1228-1235.
Евстропов В. В., Киселев К. В., Петрович И. Л., Царенков Б. В. Ток, обусловленный рекомбинацией через многоуровневый центр в слое объемного заряда p-n-структуры//ФТП. 1984. Т. 18. Вып. 10. С. 1852-1858.
Евстропов В. В., Киселев К. В., Петрович И. Л., Царенков Б. В. Скорость рекомбинации через многоуровневый (многозарядный) центр//Там же. С. 902-912.
Шокли В. Теория электронных полупроводников. - М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1953. - 714 с.
Hall R. N. Power rectifiers and transistors.//Proc. TRE. 1952. P. 1512-1518.
Карагеоргий-Алкалаев П. М., Лейдерман А. Ю. Глубокие примесные уровни в широкозонных полупроводниках. - Ташкент: "Фан". Узбекской ССР, 1971. - 204 с.
Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. - М.: Мир, 1973. - 416 с.
Куроедов А. В. Повышение надежности PIN-фотодиодов с охранным кольцом путем облучения нейтронами и гамма-квантами//Информационные технологии в науке, технике и образовании. - М.: МГУПИ, 2006. Т. 1. С. 87-92.
- Купить
