Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Эффективность преобразования солнечной энергии солнечным элементом на основе Si с квантовыми точками Ge
- Авторы
- Войцеховский Александр Васильевич vav@elefot.tsu.ru, зав. кафедрой, Томский государственный университет, Россия, 634050, Томск, пр. Ленина, 36. Тел. (3822) 41-27-72
Григорьев Денис Валерьевич vav@elefot.tsu.ru, старший научный сотрудник, Сибирский физико-технический институт при ТГУ, Россия, 634050, г. Томск, пл. Новособорная, 1. Тел. (8-3822) 41-35-17
Пчеляков Олег Петрович , профессор, руководитель отдела, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 603090, г. Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13. Тел. (8-383) 333-35-02
Никифоров Александр Иванович , заведующий лабораторией, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 603090, г. Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13. Тел. (8-383) 333-35-02
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- солнечный элемент / квантовая точка / фототок / эффективность
- Год
- 2010 номер журнала 2 Страницы 96 - 102
- Индекс УДК
- УДК 537.311.322:539.23
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Рассмотрена модель солнечного элемента на основе p+-i-n+-Si-структуры, включающей слои квантовых точек Ge в собственной области. Для определения эффективности преобразования солнечного элемента проведен расчет фототока в рассматриваемой p+-i-n+-структуре. В результате расчета дана оценка степени влияния квантовых точек на эффективность преобразования солнечной энергии фотопреобразователя.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Алферов Ж. И., Андреев В. М.//ФТП. 2004. Т. 38. В. 8. С. 937.
Lique A., Marti A.//Phys. Rev. Lett. 1997. V. 78. Nо. 26. P. 5014.
Marti A., Lopez N., Lique A. et al.//Thin Solid Films. 2006. V. 511, 512. P. 638.
Рынок электроники. Итоги и тенденции//ChipNews. 2007. Nо. 6. Р. 4-15.
Пчеляков О. П., Болховитянов Ю. Б., Двуренченский А. В., Соколов Л. В., Никифоров А. И., Якимов А. И., Фойхтлендер Б.// ФТП. 2000. Т. 34. В. 11. С. 1281.
Yakimov A. I., Stepina N. P., Dvurechenskii A. V., Nikiforov A. I.//Phys. Rev. B. 2001. V. 63. Р. 045312.
Aroutiounian V., Petrosyan S., Khachatryan A., Touryan K. // Journal of Applied Physics. 2001. V. 89. Nо. 4. P. 2268-2271.
Гаман В. И. Физика полупроводниковых приборов. - Томск: Изд-во науч.-техн. лит-ры, 2000.
Marti A., Cuadra L., Luque A.//Physica E. 2002. V. 14. P. 150.
Boucaud P., Le Thanh V. et al.//Appl. Phys. Lett. V. 74. Nо. 3. P. 401-403.
Двуреченский А. В., Якимов А. И.//ФТП. 2001. Т. 35. В. 9. C. 1143.
База данных: Новые полупроводниковые материалы: диагностика и свойства <http://www.ioffe.ru/index.php?row=13&subrow=0>//режим доступа: http://www.ioffe.ru/ SVA/NSM/Semicond/index.html.
Yakimov A. I., Dvurechenskii A. V., Nikiforov A. I., Proskuryakov Yu. Yu.//J. Appl. Phys. 2001. V. 89. Nо. 10. P. 5676-5681.
Alguno A., Usami N., Ujihara T. et al.//Ibid. 2004. V. 84. Nо. 15. P. 2802-2804.
- Купить
