Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Оптимизация температуры сварки индиевых столбов в методе групповой сборки многоэлементных ФП
- Авторы
- Предеин Александр Владиленович alpred@thermo.isp.nsc.ru, ведущий инженер, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, просп. Ак. Лаврентьева, 13. Тел. (783) 333-10-82
Васильев Владимир Васильевич alpred@thermo.isp.nsc.ru, заведующий лабораторией, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, просп. Ак. Лаврентьева, 13. Тел. (783) 333-10-82
Новоселов Андрей Рудольфович novoselov@thermo.isp.nsc.ru, научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, просп. акад. Лаврентьева, 13. Тел. 333-10-79
Косулина Ирина Григорьевна , ведущий инженер-технолог, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, просп. акад. Лаврентьева, 13. Тел. 333-10-79
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- фотоприемник / фотоприемный модуль / столб / индий / температура
- Год
- 2010 номер журнала 1 Страницы 73 - 77
- Индекс УДК
- УДК 621.382.049.77.002
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Результаты исследований по оптимизация температуры сварки индиевых столбов в методе групповой сборки многоэлементных фотоприемных модулей ИК ФПУ позволили разработать технологию сборки при температуре 120 ° С и давлении менее 1,56⋅107 Н/м2 методом перевернутого кристалла фоточувствительных матриц n-p-переходов в гетероэпитаксиальном слое HgCdTe p-типа без ухудшения электрофизических характеристик n-p-переходов и усилием на разрыв фотоприемных модулей размерностью 128×128 элементов 2675 г при диаметре столба 20 мкм.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Бовина Л. А., Стафеев В. И., Болтарь К. О., Лакеенков В. М., Лощина М. А.// Прикладная физика. 1999. № 3. С. 41.
White J. K., Antoszewsi J., Pal R., Musca C. A., Dell J. M., Faraone L., Piotrowski J. // J. Of Electronic Materials. 2002. V. 31. No. 7. P. 743.
Васильев В. В., Овсюк В. Н., Протасов Д. Ю., Талипов Н. Х.// Прикладная физика. 2005. № 2. С. 37.
Akira Ajisawa, Naoki Oda// J. Of Electronic Materials. 1995. V. 24. No. 9. P. 1105.
Romashko L. N., Ovsyuk V. N., Vasilev V. V., Nesterov A. A.// Phys. Stat. Sol. (a). 1998. V. 168. P. 433.
Romashko L. N., Klimenko A. G., Ovsyuk V. N., Vasilyev V. V., Voinov V. V., Plotnicov A. E.// Ibid. 2001. No. 3. P. 445.
- Купить
