Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Исследование влияния подготовки поверхности подложек GaAs на свойства МОСVD-эпитаксиальных слоев СdTe и CdHgTe
- Авторы
- Котков Анатолий Павлович , ст. научный сотрудник, Институт химии высокочистых веществ РАН, Россия, 603950, г. Нижний Новгород, ул. Тропинина, 49. Тел. (831) 462-76-12. Факс (831) 462-57-64
Моисеев Александр Николаевич , зам. директора, Институт химии высокочистых веществ РАН, Россия, 603950, г. Нижний Новгород, ул. Тропинина, 49. Тел. (831) 462-76-12. Факс (831) 462-57-64
Гришнова Наталья Дмитриевна grichnova@bk.ru, ст. научный сотрудник, Институт химии высокочистых веществ РАН, Россия, 603950, г. Нижний Новгород, ул. Тропинина, 49. Тел. (831) 462-76-12. Факс (831) 462-57-64
Чилясов Алексей Викторович , научный сотрудник, Институт химии высокочистых веществ РАН, Россия, 603950, г. Нижний Новгород, ул. Тропинина, 49. Тел. (831) 462-76-12. Факс (831) 462-57-64
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- подложка / морфология / поверхность / температура / гетерослой
- Год
- 2010 номер журнала 1 Страницы 81 - 86
- Индекс УДК
- УДК 546.4: 548.25
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Исследовано влияние предростовой подготовки подложек GaAs на кристаллическое совершенство и морфологию поверхности выращенных на них MOCVD-слоев CdTe и CdxHg1-xTe. Показано, что оптимальной температурой отжига подложек GaAs(100) в атмосфере водорода является 580-590 °С, а подложек GaAs(111)В - 530-550 ° С. При более высокой температуре отжига ухудшается морфология поверхности выращиваемых слоев CdTe, а при более низкой - ухудшается их кристаллическое совершенство. Нанесение гомоэпитаксиального слоя арсенида галлия на подложки GaAs(100) может служить эффективным средством уменьшения плотности ростовых дефектов (hillocks) на поверхности гетерослоев CdxHg1-xTe(100)/CdTe(100)/GaAs(100).
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Shtrikman H, Oron M., Raizman A., Cinader G.// J. Electronic. Mat. 1988, V. 17. № 2. P. 105.
Feldman R. D., Austin R. F., Kisker D. W., Jeffers K. S., Bridenbaugh P. M.// Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. No. 3. P. 248.
Anderson P. L.// J. Vac. Sci. Technol. 1986. V. 4. No. 4. P. 2162.
Моисеев А. Н., Батманов С. М., Ливерко В. Н.// Высокочистые вещества. 1994. № 4. C. 136.
Piotrowski A., Madejczik P., Gawron W., Ktos K., Romanis M., Grudzien M., Piotrowski I., Rogalski A.// Opto-Electronics Review. 2004. V. 12. No. 4. P. 453.
Девятых Г. Г., Котков А. П., Ливерко В. Н., Моисеев А. Н.// ДАН. 1995. Т. 340. № 3. С. 331-333.
- Купить
