Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Инфракрасные детекторы с барьером Шоттки, чувствительные к излучению с энергией квантов меньше высоты потенциального барьера
- Авторы
- Иванов Владислав Георгиевич vivanovg@gmail.com, научный сотрудник, Научно-исследовательский центр-филиал 4 ЦНИИ МО РФ, Россия, Санкт-Петербург, Ждановская ул., 41. Тел.: (812) 393-82-84, 531-04-51
Иванов Георгий Владиславович , ст. инженер-программист, Научно-исследовательский центр-филиал 4 ЦНИИ МО РФ, Россия, Санкт-Петербург, Ждановская ул., 41. Тел.: (812) 393-82-84, 531-04-51
Каменев Анатолий Анатольевич , зам. нач. управления, Научно-исследовательский центр-филиал 4 ЦНИИ МО РФ, Россия, Санкт-Петербург, Ждановская ул., 41. Тел.: (812) 393-82-84, 531-04-51
Арутюнов Валентин Артемьевич , нач. НПК, ОАО «ЦНИИ "Электрон"», Россия, 194223, Санкт-Петербург, пр. Тореза, 68
Степанов Рудольф Михайлович , гл. инженер, ОАО «ЦНИИ "Электрон"», Россия, 194223, Санкт-Петербург, пр. Тореза, 68
Панасенков Вячеслав Иванович , вед. инженер, ОАО «ЦНИИ "Электрон"», Россия, 194223, Санкт-Петербург, пр. Тореза, 68
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- детектор / электромагнитное излучение / термоэлектронная эмиссия / барьер Шоттки
- Год
- 2010 номер журнала 1 Страницы 87 - 93
- Индекс УДК
- УДК 621.383.5.029.71/73
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Рассмотрены физический механизм работы, построение и результаты экспериментального исследования новых детекторов электромагнитного излучения на основе эмиссии газа горячих электронов (Hot Electron Gas Emission Detectors - HEGED). В указанных детекторах используется эффект изменения тока термоэлектронной эмиссии в диоде с барьером Шоттки при прямой передаче энергии поглощенного излучения системе электронного газа в квазиметаллическом слое барьера. Показана возможность детектирования излучения с энергией квантов меньше, чем высота потенциального барьера диода Шоттки, и значительного увеличения граничной длины волны детектора PtSi/Si.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Kosonocky W. F., Erhardt H. G., Meray G., Shallcross F. V., Elabd H., Cantella M. Y., Klein Y., Skolnik L. H., Capone B. R., Taylor R. W., Ewig W., Shepherd F. D., Roosild S. A. Advances in Platinum Silicide Schottky-Barrier IR-CCD Image Sensors// Proc. SPIE. 1980. V. 225. P. 69.
Villani T. S., Kosonoky W. F., Shallcross F. V., Groppe J. V., Meray G. M., O'Neil J. J., Esposito B. J. Construction and performance of 320×244 - element IR CCD imager with PtSi Schottky-barrier detectors// Ibid. 1989. V. 1107. P. 9-21.
Lin T. L., Park Y. S., George T., Jones E. V., Fathauer R. V., Maserjian J. Long-wavelength PtSi infrared detectors fabricated by incorporating a p+ doping spike grown by molecular beam epitaxy// Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. No. 25. P. 3318-3320.
Бойцов С. К., Иванов В. Г., Моисеев Ю. И. и др. Матричный ФППЗ на основе фотодиодов с барьерами Шоттки из PtSi/Si с числом элементов 256×256: Тез. докл. IV конф. "Приборы с зарядовой связью и системы на их основе" - ПЗС-92. - М., 1992. С. 45.
Tsaur B.-Y., Chen C. K., Nechay B. A. IrSi Schottky-Barrier Infrared Detectors with Wavelength Response Beyond 12 mkm// IEEE Electron Device Lett. 1990. V. 11. No. 9. P. 415-417.
Tsaur B.-Y., Chen C. K., Marino S. A. Heterojunction GexSi1-x/Si infrared detectors and focal plane arrays// Optical Eng. 1994. V. 33. No. 1. P. 72-78.
Lin T. L., Park Y. S., Yones E. W., Del Castillo H. M., George T., Ganapala S. D. Long-wavelength stracked Si1-xGex/Si heterojunction internal photoemission infrared detectors// Ibid. No. 3. P. 718.
Andews Jr. J. M., Morgan R. R., Sze S. M. Schottky barrier diode contacts// US Pat. 3964084 оn 15.06.1976; Shannon J. M., Beale J. R. A., Making Schottky barrier devices// Ibid. No. 4045248 оn 30.08 1977.
Kosonocky W. F., Elabd H. Schottky-barrier diode radiant energy detector with extended longer wavelength response// Ibid. No. 4544939 оn 01.10.1985.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Мир, 1984.
Рогальский А. Инфракрасные детекторы. - Новосибирск: Наука, 2003. С. 81-157.
Овсюк В. Н., Курышев Г. Л., Сидоров Ю. Г. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. - Новосибирск: Наука, 2001.
Murguia Y. E., Tedrow P. K., Shepherd F. D., Leahy D., Weeks M. M. Performance Analysis of a Thermionic Thermal Detector at 400, 300, and 200 K// Proc. SPIE. 1999. V. 3698. P. 361-375.
Иванов В. Г., Иванов Г. В., Каменев А. А. Многоэлементные ИК-приемники на основе барьеров Шоттки, чувствительные к излучению с энергией квантов меньше высоты потенциального барьера// Оптический журнал. 2008. № 8. С. 53-59.
Займан Дж. Принципы теории твердого тела. - М.: Мир, 1966.
Karasik B. S., McGrath W. R., Gershenson M. E., Sergeev A. V. Hot-electron direct detectors: feasibility of NEP ≈ 10-20 W/√Hz at submillimeter waves// J. Appl. Phys. 2000. V. 87. P. 7856.
Il'in K. S., Ptitsina N. G., Sergeev A. V., Goltsman G. N., Gershenson M. E., Karasik B. S., Pechen E. V., Krasnosvobodtsev S. I. Interrelation of resistivity and inelastic electron-phonon scattering rate in impure NbC films// Phys. Rev. 1998. V. B57. P. 15623.
Арутюнов В. А., Богатыренко Н. Г., Иванов В. Г., Прокофьев А. Е. Испытания матричной тепловизионной камеры диапазона 1,2-5,5 мкм на базе кремниевых ИК ПЗС с барьерами Шоттки в условиях мониторинга городских сюжетов// Оптический журнал. 1999. T. 66. № 12. С. 60-63.
Арутюнов В. А., Богатыренко Н. Г., Иванов В. Г., Прокофьев А. Е. Инфракрасные матричные фотоприемники для комплексной автоматической аппаратуры слежения и наведения// Проблемы транспорта. 2000. № 3. С. 223-235.
Иванов В. Г., Иванов Г. В. Фотоприемная матрица детекторов на основе барьеров Шоттки с чувствительностью в субмиллиметровом диапазоне длин волн: Пат. 2304826 Российской Федерации от 20.03.2006
Иванов В. Г., Иванов Г. В., Каменев А. А. Способ увеличения граничной длины волны ИК-детектора с барьером Шоттки, ИК-детектор и фотоприемная матрица, чквствительная к ИК-излучению: Пат. 2335823 Российской Федерации от 23.10.2006.
- Купить
