Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Размерные эффекты образования наноструктур в композиционных материалах
- Авторы
- БОГОМОЛЬНЫЙ В. М. , , Московский государственный университет инженерной экологии, Москва, Россия
- В разделе
- ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ
- Ключевые слова
- Год
- 2008 номер журнала 3 Страницы 58 - 63
- Индекс УДК
- 620.22-419
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Система факторов "технология-структура-свойства материалов" отражена в модели размерного эффекта образования мельчайшей твердой частицы, диаметр которой определяет конструктивные параметры приборов микроэлектроники.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Esaki L., Tsu R. Superlattices and negative differential conductivity in semiconductors// IBM J. Res. Dev. 1970. V. 14. Р. 61-65.
Vinter B., Weil T. Theoretical aspects of electron transport in modulated structures// Superlatt. Microstrostruct. 1987. V. 3. № 5. Р. 481-484.
Richter G., Stolz W., Thomas P. et al. Effects of Coulumb interaction in intentionally disordered superlattices// Ibid. V. 22. № 4. Р. 475-480.
Богомольный В. М. Расчет резонансных эффектов при электротермическом разрушении структур металл-диэлектрик-металл// Измерительная техника. 2000. № 6. С. 53-57.
Liu Z. I. et al. Synthesis and magnetic properties of Fe3O4 nanoparticles// J. of Mater. Synthesis and Processing. 2002. V. 10. № 2. Р. 83-87.
Yonagami T., Muzutai T. Radiation damage in SiO2/Si induced in low energy electrons via plasmon excitation// J. Appl. Phys. 1993. V. 73. № 12. Р. 8184-8188.
Солдатов В. С. и др. Пространственное распределение зарядов, прогенерированных туннельной инжекцией электронов из Si в термический диоксид МДП-структуры// ФТП. 1990. Т. 24. Вып. 9. С. 1611-1619.
Ковчавцев А. П. Структуры металл-диэлектрик-полупроводник на основе арсенида индия. Дис.… д-ра физ.-мат. наук. - Новосибирск, 2003.
Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Миронов А. Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. - М.: Наука, 1972.
Пашковский А. Б. Электронный транспорт в субмикронных и нанометровых диодных и транзисторных структурах. Дис. ... д-ра физ.-мат. наук. - Фрязино: ГНПП "Исток", 1998.
Peierls R. Uber die Existenz stationärer Zustände// Zeitschr. Phys. 1929. Bd. 58. № 1. S. 59.
Ландау Л. Д. О движении электронов в кристаллической решетке: Собр. соч. в 2 т. - М.: Наука, 1969. Т. 1. С. 90.
Дедков Г. В., Кясов А. А. "Нанолампа": игла сканирующего микроскопа, как управляемый источник микроволнового излучения// Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. Вып. 11. С. 35-41.
Богомольный В. М. Электрофизический метод оценки энергии поверхностного разрушения диэлектриков, контактирующих с металлом// Измерительная техника. 2004. № 10. С. 52-56.
Рожков В. М. Длительность стадии разрядного канала// ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 1. С. 51-54.
Joo J. H. et al. Rugged metal electrode (RME) in high density memory devices// Jpn. J. Appl. Phys. 2001. V. 40. Part 2. Letters. № 8A. Р. 826-828.
Гольцман Б. М., Ярмаркин В. К. Сегнетоэлектрические материалы для интегральных схем динамической памяти// ЖТФ. 1999. T. 69. Вып. 5. С. 89-92.
Aussime A. D. et al. Radiofrequency single electron transistor: toward the shot-noise limit// Appl. Phys. Letters. 2001. V. 79. № 4. Р. 4031-4033.
Streiff M., Fichtner W., Witrig A. Vertical-cavity surface-emitting lasers: single-mode control and self-heating effects. In// "Optoelectronic Devices. Advanced Simulation and Analysis"/ Ed. J. Piprek. - N. Y.: Springer, 2005. Р. 219-247.
Belov A. et al. On the role of magnetic field spin effect of conductivity of MEN-PPV and nanosized particles of PbS// Journ. of Luminiscence. 2005. V. 112. Р. 368-371.
Помогайло А. Д., Розенберг А. С., Уфлянд И. Е. Наночастицы металлов в полимерах. - М.: Химия, 2000. - 152 с.
Запсис К. В., Морозов Д. А., Кособудский Н. Д. Механизм образования и роста железосодержащих наночастиц в матрице полиэтилена высокого давления// Вестн. Саратовск. гос. техн. ун-та. 2004. № 1(2). С. 14-19.
Брандт Н. Б., Кульбачинский В. А. Квазичастицы в физике конденсированного состояния. - М.: Физматлит, 2005. - 636 с.
Маныкин Э. А., Ожован М. И., Полуэктов П. П. Теория аномального поглощения инфракрасного излучения малыми металлическими частицами// ЖТФ. 1983. Т. 53. № 8. С.1443-1449.
Nanotechnology Research Directions IWGN Workshop Report Dortrecht. - Netherland: Kluwer Publ, 2000. - 316 p.
Барабан А. П. и др. Дефектообразование в структурах Si-SiO2 в предпробойных электрических полях// Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. Вып. 18. С. 80-84.
- Купить
