Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- МИКРОСТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ДИОКСИДА РУТЕНИЯ
- Авторы
- КАРАЕВ А. К. , , Всероссийская государственная налоговая академия Министерства финансов РФ, Москва, Россия
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2006 номер журнала 3 Страницы 49 - 53
- Индекс УДК
- УДК 539.216.22:537
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Рассмотрены электрофизические свойства толстопленочных резисторов (ТПР) с учетом изменений в микроструктуре, которые происходят во время вжигания пасты. Показана важная для практических приложений зависимость сопротивления ТПР от расстояния между гранулами, которая является следствием экспоненциально сильной зависимости вероятности межгранульного электронного туннелирования от расстояния между гранулами.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Франк Г. А. Качественные пассивные компоненты - залог вашего успеха//Электронные компоненты. 1997. С. 30.
Чайковский И. А. Гетерогенные толстопленочные резисторы//Микроэлектроника. 1988. Т. 17. Вып. 4. С. 291-304.
Morten B., Masoero A., Prudenziati M., Manfredini T. Evolution of Ruthenate-Based Thick Film Cermet Resistor//J. Phys. D: Appl. Phys. 1977. V. 27. P. 2227-2235.
Pin Yang, Mark A. Rodriguez, Paul Kotula, Brandon K. Miera, Duane B. Dimos. Processing, microstructure and electric properties of buried resistors in low temperature co-fired ceramics//Journal of Applied Phy-sics, 2001. V. 89. Issue 7. P. 4175-4182.
Vest R. W. A Model for Sheet Resistivity of RuO2 Thick Film Resistors//IEEE Trans. Compon. Hybrids, and Manufact. Technol. 1991.V. 14 [2]. Р. 397-406.
Pike G. E., Seager С. Н. Electrical Properties and Conduction Mechanisms of Ru-based Thick-Film (Cermet) Resistors. Appl. Phys. 1977. V. 48 [12]. P. 5152-5169.
Johnson F., Crosbie G. M., Donlon W. T. The Effects of Processing Conditions on the Resistivity and Microstructure of Ruthenate-Based Thick Film Resistors//Mat. Sci. Materials in Electronics. 1977. V. 8. P. 29-37.
Кукушкин С. А., Осипов А. В. Процессы конденсации тонких пленок//УФН. 2003. Т. 168. № 10. C. 1083.
Нагаев Э. Л. Малые металлические частицы//Там же. 1992. Т. 162. № 9. С. 49.
Мейлихов Е. З. Термоактивированная проводимость и вольт-амперная характеристика диэлектрической фазы гранулированных металлов//ЖЭТФ. 1999. Т. 115. С. 1484.
- Купить
