Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПО ДИНАМИЧЕСКИМ ВОЛЬТ-ФАРАДНЫМ ХАРАКТЕРИСТИКАМ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ И ОДНОРОДНОСТИ ТОЛЩИН СТРУКТУР КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ
- Авторы
- Тимошенков С. П. , д-р техн. наук, проф, ,
Калугин В. В. , д-р техн. наук, ,
Прокопьев Е. П. , канд. физ.-мат. наук, ст. науч. сотр, ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2005 номер журнала 2 Страницы 45 - 49
- Индекс УДК
- УДК 621.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Рассмотрена задача расчета формы и сдвигов по напряжению C-V характеристик структур кремний на изоляторе (КНИ), а также приведено ее решение для случая квазистационарного распределения заряда в слое изолятора SiO2 структуры КНИ. На примере линейной зависимости распределения заряда в SiO2 от времени форма и сдвиги С-V характеристик указывают на важность учета влияния миграции положительных зарядов на электрофизические свойства структур КНИ.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Богданович Б. Ю., Графутин В. И., Калугин В. В., Нестерович А. В., Прокопьев Е. П., Тимошенков С. П., Чаплыгин Ю. А. Технологии и методы исследования структур КНИ. - М.: МИЭТ (ТУ), 2004. -289 с. (см. также http://www.prokopep.narod.ru).
Зи С. Физика полупроводниковых приборов.- М.: Мир, 1984. Том 1. - 456 с.
Прокопьев Е. П., Русаков В. В. О теории динамических вольт-фарадных характеристик МДП-структур// Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1974. Вып. 1. С. 62-67.
Прокопьев Е. П., Кузнецов Ю. Н. Определение профиля концентрации примесей в эпитаксиальных структурах по методу Гарретта-Бреттэна из экспериментальных С-V// Там же. 1972. Вып. 10. С. 89-91.
Батавин В. В., Кузнецов Ю. Н., Прокопьев Е. П., Травлеев Г. Н.// Там же. Сер. 3. Микроэлектроника. 1974. Вып. 2. С. 16-21.
Бычков Ю. А., Кузнецов Ю. Н., Прокопьев Е. П.// Там же. Вып. 5. С. 117-123.
Батавин В. В., Бычков Ю. А., Кузнецов Ю. Н., Прокопьев Е. П., Травлеев Г. Н.// Там же. 1976. Вып. 3. С. 93-95.
Прокопьев Е. П.// Там же. 1979. Вып. 1. С. 66-71.
Snow E. H., Grove A. S., Deal B. E., Sah C. T.// J. Appl. Phys. 1965. V. 36. P. 1664.
McMillan L.// Solid State Technol. 1972. № T. 9. C. 47.
Нахмассон Р. С.// Физика твердого тела. 1964. Т. 6. С. 1115.
Chou N.// J. Electrochem. Soc. 1971. V. 118. P. 601.
Nagai K., Sekigava T., Hayashi Yu.// Sol. St. Electronics. 1985. V. 28. № 8. P. 789-798.
Chen J., Solomon R., Tung-Yi Chan, Ping-Keung Ko, Chenming Hu// IEEE Electron Device Lett. 1991. V. 12. № 8. P. 453-455.
Alles M. L.// IEEE Spectrum. 1997. № 7. P. 37-45.
- Купить
