Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ В СЛОЯХ GaAs<Mn> и AlGаAs<Mn> ИК-ФОТОРЕЗИСТОРОВ
- Авторы
- Беспалов В. А. , канд. техн. наук, ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2003 номер журнала 1 Страницы 30 - 34
- Индекс УДК
- УДК21.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- При увеличении концентрации Mn (NaMn) в фоточувствительном слое происходит снижение чувствительности ИК-фоторезистора, что обусловлено преобладанием прыжковой проводимости (ПП) по глубоким примесным состояниям. Получены зависимости параметров ПП от NaMn, концентрации компенсирующей примеси Nd, что позволит оптимизировать концентрацию фоточувствительной примеси NaMn.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Шкловский Б. И., Эфрос А. П. Электронные свойства легированных полупроводников. - M.: Наука, 1979. - 174 c.
Добрего В. П., Ермолаев О. П. Прыжковая проводимость германия n-типа, облученного j-квантами Co// Физ. и техн. полупроводников. 1975. Т. 9. С. 925-929.
Иванов Р. А., Северцев В. Н. Электрические свойства GaPáMnñ// Электронная техника. Серия 6. Материалы. 1982. Вып 3(164). C. 36-37.
Padovani F. A., Stratton R. Field and Thermonic Field Emission in Schottky Barriers// Solid-State Electronics. 1966. V. 9. P. 695-707.
Schneider J., Kaufman U., Wilkening W., Balumber M. Electronic structure of the nentral manganese acceptor in galium arsenide// Phys. Rev. Lett. 1987. V. 59. № 2. P. 240-243.
Baldereshi A., Lipari N. O. Special model of Shallow Acceptor States in Semiconductors// Phys. Rev. B. 1973. V. 8. № 6. P. 2697-2709.
- Купить
