Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ОПТИМИЗАЦИЯ СОСТАВА GaAs<Mn> и AlGaAg<Mn> ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРИЕМНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ИК-ДИАПАЗОНА
- Авторы
- Беспалов В. А. , канд. техн. наук, ,
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА
- Ключевые слова
- Год
- 2003 номер журнала 1 Страницы 36 - 39
- Индекс УДК
- УДК21.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Достижение предельных характеристик ИК-фотоприемников требует оптимизации фоточувствительного материала AlxGa1-xAs<Mn>. Исследовано поведение энергии ионизации Mn в AlxGa1-xAs<Mn> с использованием низкотемпературной фотолюминесценции (НФЛ) и электрофизических методов. Получено оптимальное значение величины x, составляющей 0,11-0,12, обеспечивающей минимальную интенсивность термогенерации, определяющую фоточувствительность интегральных схем ИК-диапазона на основе GaAs<Mn> и AlGaAs<Mn>.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Sclar N. Properties of doped silicon and germanium infared detectors// Prog. Quant. Electr. 1984. V. 9. P. 149-257.
Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. - М.: Мир, 1970. - 488 c.
Иванов Р. А., Северцев В. Н. Электрические свойства GaP<Mn>// Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1982. Вып. 3(164). С. 36-37.
- Купить
