Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Использование слоев из поликристаллического алмаза для создания чувствительного элемента высокотемпературного датчика давления
- Авторы
- Высотина Елена Александровна evysotina@gmail.com, научный сотрудник, аспирант, ГНЦ ФГУП «Центр Келдыша», НИТУ «МИСиС», Москва, Россия
Ризаханов Ражудин Насрединович nanocentre@kerc.msk.ru, канд. физ.-мат. наук, начальник отдела, ГНЦ ФГУП «Центр Келдыша», Москва, Россия
Сигалаев Сергей Константинович nanocentre@kerc.msk.ru, канд. физ.-мат. наук, ведущий научный сотрудник, ГНЦ ФГУП «Центр Келдыша», Москва, Россия
Полушин Николай Иванович polushin@misis.ru, канд. техн. наук, заведующий лабораторией, НИТУ «МИСиС», Москва, Россия
Спицын Борис Владимирович bvspitsyn@gmail.com, д-р хим. наук, профессор, главный научный сотрудник, ФГБУ ИФХЭ им. А. Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
Алексенко Александр Евгеньевич bvspitsyn@gmail.com, канд. хим. наук, ведущий электроник, ФГБУ ИФХЭ им. А. Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
Волков Вадим Сергеевич distorsion@rambler.ru, канд. техн. наук, старший научный сотрудник, АО «Научно-исследовательский институт физических измерений», Москва, Россия
- В разделе
- КОНТРОЛЬ И ИСПЫТАНИЕ КОНСТРУКЦИЙ
- Ключевые слова
- датчик давления / чувствительный элемент / поликристаллический алмаз / тензорезистор / МЭМС-структура / карбид кремния / кремний-на-диэлектрике / широкозонный полупроводник / легирование бором
- Год
- 2020 номер журнала 3 Страницы 54 - 61
- Индекс УДК
- 531.78.084.2
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Проанализированы свойства структур на основе полупроводниковых широкозонных материалов. Подробно рассмотрены конструкция и технология изготовления чувствительного элемента датчика давления на основе поликристаллического алмаза. Предложенная конструкция датчика давления работоспособна в диапазоне давлений от 0,1 до 10 МПа и в диапазоне температур от -60 до 400 °С.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Мокров Е. А. Состояние, проблемы и пути развития датчикостроения на 2006−2015 гг. // Электронные компоненты. 2007. № 3. С. 64-70.
Баринов И. Н., Волков В. С., Евдокимов С. П. Разработка и изготовление микроэлектронных датчиков давления для особо жестких условий эксплуатации // Датчики и системы. 2014. № 2. С. 49-61.
Korvink J. G., Paul O. MEMS: a practical guide to design, analysis, and application. - William Andrew, Inc. 2006.
The MEMS handbook / ed by Mohamed Gad-el-Hak. p. cm. - 2002 (Mechanical engineering handbook series).
Гурин С. А. Технологические методы повышения стабильности тонкопленочных датчиков давления // Приборы. 2015. № 2. С. 36-42.
Гурин С. А., Песков Е. В., Вергазов И. Р. Методика термостабилизации тонкопленочных гетерогенных структур // Нано- и микросистемная техника. 2014. № 11. С. 12-16.
Волохов И. В., Гурин С. А., Вергазов И. Р. Исследование свойств высокочувствительных термостабильных тонкопленочных тензорезисторов для интегральных датчиков давления // Измерительная техника. 2016. № 1. С. 55-60.
Баринов И. Н. Высокотемпературные тензорезистивные датчики давлений на основе карбида кремния. Состояние разработок и тенденции развития // Компоненты и технологии. 2010. № 8. С. 64-71.
Баринов И. Н., Волков В. С. Обеспечение долговременной стабильности параметров высокотемпературных полупроводниковых тензорезистивных датчиков абсолютного давления // Приборы. 2012. № 9. С. 29-35.
Баринов И. Н., Дарвин Ю. Применение поликристаллического алмаза в качестве чувствительного элемента // Отраслевые аспекты технических наук. 2012. № 5. С. 21-23.
Ned A. A., Kurtz A. D., Beheim G., Fawzia Masheeb, Sorin Stefanescu. Improved SiC Leadless Pressure Sensors For High Temperature, Low and High Pressure Applications. Kulite Semiconductor Products, Inc. Twenty-First Transducer Workshop Lexington, Maryland, June 22-23, 2004.
Плесков Ю. В. Электрохимия алмаза. - М.: Эдиториал УРСС, 2003. - 104 с.
Баринов И. Н. Результаты исследования высокотемпературных полупроводниковых чувствительных элементов датчиков давления на основе структуры "кремний-на-диэлектрике" // Компоненты и технологии. 2008. № 11. С. 30-32.
- Купить
- 500.00 руб
