Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Электронные состояния системы "эпитаксиальный графен-низкоразмерная структура"
- Авторы
- Алисултанов Заур Замирович zaur0102@gmail.com, аспирант, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, Россия, 119991, Москва, ул. Вавилова, 38
- В разделе
- ОБЩАЯ ФИЗИКА
- Ключевые слова
- монослой графена / бислой графена / квантовая точка / электронные состояния / квантовая нить
- Год
- 2012 номер журнала 6 Страницы 23 - 28
- Индекс УДК
- УДК 538.9
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Исследованы электронные состояния системы "квантовая точка-монослой графена-подложка SiO2+n+Si" во внешнем магнитном поле. Получено аналитическое выражение для величины переходящего заряда в такой системе. Рассмотрены электронные состояния системы "квантовая точка-бислой графена-подложка SiO2+n+Si". Исследуемые системы интересны с точки зрения возможности управления оптическими свойствами квантовой точки с помощью приложенного электрического поля. Кратко затронут вопрос об электронных состояниях системы "графеновая нанотрубка-квантовая нить".
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Novoselov K. S., Geim A. K., Morozov S. V., Jiang D., Zhang Y., Dubonos S. V., Grigorieva I. V., Firsov A. A. // Science. 2004. V. 306. P. 666.
Novoselov K. S., Geim A. K., Morozov S. V., Jiang D., Katsnelson M. I., Grigorieva I. V., Dubonos S. V., Firsov A. A. // Nature. 2005. V. 438. P. 197.
Castro Neto A. H., Guinea F., Peres N. M. R., Novoselov K. S., Gaim A. K. // Rev. Mod. Phys. 2008. V. 81. P. 109.
Berger C., Song Z., Li T., Li X., Ogbazghi A. Y., Feng R., Dai Z., Marchenkov A. N., Conrad E. H., First P. N., Heer W. A. // J. Phys. Chem. B. 2004. V. 108. P. 19912.
Giovannetti G., Khomyakov P. A., Brocks G., Karpan V. M., Van den Brink J., Kelly P. J. // Phys. Rev. Lett. 2008. V.101. P. 026803.
Khomyakov P. A., Giovannetti G., Rusu P. C., Van den Brink J., Kelly P. J. // Phys. Rev. B. 2009. V. 79. P. 195425.
Давыдов С. Ю. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. Вып. 10. С. 64.
Давыдов С. Ю. // ФТП. 2011. Т. 45. Вып. 6. C. 629.
Давыдов С. Ю. // Там же. Вып. 8. C. 1102.
Алисултанов З. З., Мейланов Р. П. // ФТТ. 2012. Т. 54. Вып. 7. С. 1398.
Алисултанов З. З., Мейланов Р. П. // Там же. Т. 113. С. 1504.
Anderson P. W. // Phys. Rev. 1961. V. 124. No. 1. P. 41.
Newns D. M. // Ibid. 1969. V. 178. No. 3. P. 1123.
Haldane F. D. M., Anderson P. W. // Ibid. B. 1976. V. 13. P. 2553.
Давыдов С. Ю., Сабирова Г. И. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. № 24. C. 23.
Давыдов С. Ю., Сабирова Г. И. // ФТТ. 2011. Т. 53. № 3. С. 608.
Алисултанов З. З., Мейланов Р. П., Нухов А. К., Мусаев Г. М., Идаятов Э. И. // Письма в ЖТФ. 2012. Т.38. Вып.12. С. 1.
Bayer M., Timofeev V. B., Gutbrod T., Forchel A., Steffen R., Oshinovo J. // Phys. Rev. B. 1995. V. 52. P. R11 623.
Калевич В. К., Захарченя Б. П., Федорова О. М. // ФТТ. 1995. T. 37. C. 283.
Bryant G. W. // Phys. Rev. Lett. 1987. V. 59. P. 1140.
Мейланов Р. П., Абрамова Б. А., Мусаев Г. П., Гаджталиев М. М. // ФТТ. 2004. T. 46. Вып. 6. С. 1076.
- Купить
- 100.00 руб