Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Оценка значений электрофизических параметров полупроводниковых материалов по результатам измерений катодолюминесценции экситонов
- Авторы
- Поляков Андрей Николаевич andrei-polyakov@mail.ru, аспирант, Калужский государственный университет им. К. Э. Циолковского, Россия, 248023, Калуга, ул. Степана Разина, 26. Тел. 8 (4842) 57-61-20
Noltemeyer Martin martin.noltemeyer@ovgu.de, аспирант, Otto-von-Guericke-Universität-Magdeburg, Universitätsplatz 2, 39106, Magdeburg, Germany
Hempel Thomas , научный сотрудник, Otto-von-Guericke-Universität-Magdeburg, Universitätsplatz 2, 39106, Magdeburg, Germany
Christen Jurgen , заведующий кафедрой, Otto-von-Guericke-Universität-Magdeburg, Universitätsplatz 2, 39106, Magdeburg, Germany
Степович Михаил Адольфович , заведующий кафедрой, Калужский государственный университет им. К. Э. Циолковского, Россия, 248023, Калуга, ул. Степана Разина, 26. Тел. 8 (4842) 57-61-20
- В разделе
- ОБЩАЯ ФИЗИКА
- Ключевые слова
- катодолюминесценция / экситон / квантовая яма / коэффициент диффузии / подвижность / рассеяние / оксид цинка
- Год
- 2012 номер журнала 6 Страницы 41 - 46
- Индекс УДК
- УДК 537.533.35; 535.37; 535.08; 53.072
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Показана возможность использования времяпролетных катодолюминесцентных измерений для оценки коэффициента диффузии и подвижности экситонов в одиночных квантовых ямах прямозонных полупроводниковых гетероструктур. Приведены результаты экспериментальных исследований перспективной для практического использования гетероструктуры ZnMgO/ZnO с ZnО-квантовой ямой. На основе анализа температурной зависимости подвижности экситонов (4,8-180 К) сделаны предположения о механизмах рассеяния, характерных для воздействия гетероперехода на границе квантовой ямы.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Петров В. И. // УФН. 1996. Т. 166. № 8. С. 859.
Hillmer H., Forchel A., Hansmann S. et al. // Phys. Rev. B. 1989. V. 39. No. 15. P. 10901.
Hillmer H., Hansmann S., Forchel A. et al. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. No. 20. P. 1937.
Hillmer H., Forchel A., Sauer R., Tu C. W. // Phys. Rev. B. 1990. V. 42. No. 5. P. 3220.
Properties, processing and application of GaN and related semiconductors / Ed. by J. H. Edgar. - London: INSPEC, 1999.
Morkoc H. Nitride semiconductors and devices. - Berlin: Springer-Verlag, 1999.
Yu E., Manasreh M. III-V nitride semiconductors: Applications and devices. - N. Y.: Taylor&Francis Group, 2002.
Zamfirescu M. et al. // Phys. Rev. B. 2002. V. 65. No. 16. P. 161.
Pearton S. J. et al. // Progress in Materials Science. 2005. V. 50. No. 3. P. 293.
Zhong L. W. // J. Phys.: Condens. Matter. 2004. V. 16. No. 25. P. R829.
Xu C. X. et al. // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. V. 2. P. 661.
Гуро Г. // УФН. 1960. Т. 72. № 4. С. 711.
Петров В. И. // Там же. 1996. Т. 166. С. 859.
Поляков А. Н. / Наноинженерия-2010: Сб. тр. третьей всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов, молодых ученых по направлению "Наноинженерия". - М., 2010. С. 359.
Зорич В. А. Математический анализ. - М.: Наука, 1981.
Поляков А. Н., Степович М. А. / Сб. науч. работ лауреатов областных премий и стипендий. Вып. 6. - Калуга: КГУ им. К. Э. Циолковского. 2010. С. 127.
Поляков А. Н., Нолтемейер М., Христен Д. и др. / Радиационная физика твердого тела: Труды XX Междунар. совещания. - М., 2010. Т. 1. С. 118.
Schmidt R. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. No. 14. P. 2260.
Ю П., Кордона М. Основы физики полупроводников. - М.: Физматлит, 2002.
- Купить
- 100.00 руб
