Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Мультипакторный разряд на диэлектрике при различных углах наклона электрического СВЧ-поля относительно поверхности диэлектрика
- Авторы
- Иванов Вячеслав Алексеевич ivanov@fpl.gpi.ru, заведующий отделом, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, Россия, 11991, Москва, ул. Вавилова, 38. Тел. 8 (499) 135-80-31
Сахаров Александр Сергеевич , старший научный сотрудник, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, Россия, 119991, Москва, ул. Вавилова, 38. Тел. (499) 503-83-44
Коныжев Михаил Евгеньевич , научный сотрудник, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, Россия, 119991, Москва, ул. Вавилова, 38. Тел. (499) 503-83-44
- В разделе
- ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
- Ключевые слова
- мультипакторный разряд / СВЧ-поле / диэлектрик / вторичные электроны
- Год
- 2012 номер журнала 6 Страницы 99 - 107
- Индекс УДК
- УДК 537.525.6
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Материалы конференций
- Аннотация
- Проведено численное и аналитическое исследование вторично-эмиссионного электронного разряда (мультипактора) на диэлектрике в вакууме при различных углах наклона α вектора напряженности электрического СВЧ-поля относительно поверхности диэлектрика с самосогласованным учетом электрического поля объемного заряда эмитированных электронов. Рассчитана мощность, поглощаемая в разряде, и получены аналитические оценки для средней плотности тока вторичных электронов и средней энергии электронов, бомбардирующих поверхность диэлектрика, в зависимости от угла α и осцилляционной энергии электронов в СВЧ-поле. Показано, что зависимость поглощенной мощности от угла наклона внешнего СВЧ-поля имеет минимум при α ~ 20-30°.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Strong Microwaves: Sources and Applications. Ed. by A. G. Litvak, Institute of Applied Physics RAS: Nizhny Novgorod, 2009.
Vaughan J. R. M. // IEEE Trans. Electron Devices. 1988. V. 35. P. 1172.
Kishek R. A, Lau Y. Y., Ang L. K. et al. // Phys. Plasmas. 1998. V. 5. P. 2120.
Kim H. C., Verboncoeur J. P. // Phys. Plasmas. 2006. V. 13. P. 123506.
Батанов Г. М., Иванов В. А., Коныжев М. Е., Летунов А. А. // Письма ЖЭТФ. 1997. Т. 66. С. 163.
Батанов Г. М., Иванов В. А., Коныжев М. Е. // Там же. 1994. Т. 59. С. 655.
Ivanov V. A., Konyzhev M. E. / Microwave Discharges: Fundamentals and Applications. Ed. by A. Ohl. Institute for Low-Temperature Plasma: Greifswald, 2003. P. 247.
Ivanov V. A., Sakharov A. S., Konyzhev M. E. / Microwave Discharges: Fundamentals and Applications. Ed. by M. Kando, M. Nagatsu. Shizuoka University: Hamamatsu, 2010. P. 34.
Semenov V. E., Rakova E. I., Anderson D. et al. // Phys. Plasmas. 2007. V. 14. P. 033501.
Kossyi I. A., Lukyanchikov G. S., Semenov V E et al. // J. Phys. D. 2008. V. 41. P. 065203.
Kishek R. A., Lau Y. Y. // Phys. Rev. Lett. 1998. V. 80. P. 193.
Буянова М. Н., Нечаев В. Е., Семенов В. Е. // Известия вузов. Радиофизика. 2007. Т. 50. С. 988.
Ang L.-K., Lau Y. Y., Kishek R. A., Gilgenbach R. M. // IEEE Trans. Plasma Sci. 1998. V. 26. P. 290.
Valfells A., Verboncoeur J. P., Lau Y. Y. // Ibid. 2000. V. 28. P. 529.
Kim H. C., Verboncoeur J. P. // Phys. Plasmas. 2005. V. 12. P. 123504.
Иванов В. А., Сахаров А. С., Коныжев М. Е. / Тезисы докладов XXXVII Междунар. Звенигородской конф. по физике плазмы и УТС, Звенигород, 2010. P. 246; http://www.fpl.gpi.ru/Zvenigorod/XXXVII/Lt/en/MI-Sakharov_e.doc
Сахаров А. С., Иванов В. А., Тарбеева Ю. А., Коныжев М. Е. // Прикладная физика, 2011. № 6. С. 111.
Гришин Л. В., Дорофеюк А. А., Коссый И. А. и др. // Труды ФИАН. 1997. Т. 92. С. 82.
Valfells A., Ang L. K., Lau Y. Y., Gilgenbach R. M. // Phys. Plasmas. 2000. V. 7. P. 750.
Vaughan J. R. M. // IEEE Trans. Electron Devices. 1989. V. 36. P. 1963.
Sazontov A., Semenov V., Buyanova M. et al. // Phys. Plasmas. 2005. V. 12. P. 093501.
- Купить
- 118.00 руб
