Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Диффузия серы из подложки InP гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP при изготовлении pin-фотодиодов
- Авторы
- Горлачук Павел Владимирович , инженер, ОАО «НИИ "Полюс"» им. М. Ф. Стельмаха, Россия, 117342, Москва, ул. Введенского, 3
Мармалюк Александр Анатольевич A.Marmalyuk@siplus.ru, начальник отдела, ОАО «НИИ "Полюс"» им. М. Ф. Стельмаха, Россия, 117342, Москва, ул. Введенского, 3
Рябоштан Юрий Леонидович , ведущий инженер-технолог, ОАО «НИИ "Полюс"» им. М. Ф. Стельмаха, Россия, 117342, Москва, ул. Введенского, 3
Сарайкин Владимир Васильевич info@ckp.su, начальник сектора, НИИ физических проблем им. Лукина, Россия, 124460, Москва, г. Зеленоград, 4-й Западный проезд, 5
Хакуашев Павел Евгеньевич orion@orion-ir.ru, главный специалист, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2
Чинарева Инна Викторовна orion@orion-ir.ru, ведущий инженер-технолог, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- емкость / гетероэпитаксиальная структура / диффузия / профиль / концентрация / вакансии
- Год
- 2012 номер журнала 5 Страницы 77 - 80
- Индекс УДК
- УДК 621.315.5
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Исследованы причины появления повышенной емкости pin-фотодиодов на основе InGaAs/InP. Показана связь повышенной емкости с диффузией серы из высоколегированной подложки InP в эпитаксиальный слой InGaAs. Такое неожиданное поведение серы объясняется образованием вакансий при диффузии кадмия в слой InGaAs, которые способствуют увеличению коэффициента диффузии серы в InGaAs.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Техника оптической связи. Фотоприемники/Под ред. У. Тсанга. - М.: Мир, 1988.
Sang Kee Si, Deok Ho Yeo, Kyung Hun Yoon, Sung June Kim//IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 1998. V. 4. No. 4. P. 619.
Holonyak Nick//IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronic. 1998. V. 4. No. 4. P. 584.
Sang-Kook Han, Sanjai Sinha, Ramu V. Ramaswamy // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. P. 760.
Helmy Amr Saher, Johnson N. P., Ke M. L. et al. // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 1998. V. 4. No. 4. P. 661.
Slotte J., Saarinen K., Salmi A. et al.//Physical Review. 2003. V. B 67. P. 115209.
- Купить
- 100.00 руб
