Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Исследования гетероэпитаксиальных структур HgCdTe методами микроскопии высокого разрешения
- Авторы
- Пермикина Елена Вячеславовна , ведущий инженер, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2
Кашуба Алексей Сергеевич , ведущий инженер-технолог, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2
Ляликов Алексей Владимирович , ведущий инженер, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2
Коротаев Евгений Дмитриевич , инженер-электроник, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2
Бурлаков Игорь Дмитриевич IDBUR@orion-ir.ru, зам. генерального директора, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- эпитаксиальные слои / КРТ / микропустоты / морфология / V-дефекты / атомно-силовая микроскопия
- Год
- 2012 номер журнала 5 Страницы 81 - 90
- Индекс УДК
- УДК 621.383
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Методами оптической, растровой, атомно-силовой и электронно-ионной микроскопии высокого разрешения исследована морфология поверхности эпитаксиальных слоев теллурида кадмия ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Представлены возможные механизмы образования микропустот и V-дефектов. Проведен сравнительный анализ элементного состава и особенностей формообразования V-дефектов.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Sabinina I. V., Gutakovsky A. K., Sidorov Yu. G., Latyshev A. V. // Journal of Crystal Growth. 2005. V. 274. P. 339.
Benson J. D., Almeida L. A., Carmody M. W. et al.// J. of Electronic Materials. 2007. V. 36. No. 8. P. 949.
Selvig E., Tonheim C. R., Kongshaug, K. O. et al. // J. Vac. Sci. Technol. 2007. V. 25. No. 6. P. 1776.
Haakenaasen R., Steen H., Selvig E. et al.// Phys. Scr. 2006. V. 126. P. 31.
Chang Y., Badano G., Zhao J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 4785.
Chang Y., Becker С.К., Grein С.Н. et al. // J. of Electronic Materials. 2008. V. 37. No. 9. P. 1171.
Бурлаков И. Д., Кашуба А. С., Пермикина Е. В., Головин С. В., Арбенина В. В.// Вестник МИТХТ. 2009. T. 4. № 4. C. 78.
Васильев Д. М. Физическая кристаллография. - СПб.: С.-Петербургский государственный техн. у-тет, 1996.
- Купить
- 100.00 руб
