Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Фотодиоды из антимонида индия с эффектом Мосса-Бурштейна на основе жидкофазных гомоэпитаксиальных структур
- Авторы
- Астахов Владимир Петрович ko-ckb@mail.ru, зам. начальника ЦКБ, ОАО «Московский завод "САПФИР"», Россия, 117545, Москва, Днепропетровский пр., 4а.
Тел. 315-73-68
Карпов Владимир Владимирович ko-ckb@mail.ru, главный конструктор - начальник ЦКБ, ОАО «Московский завод "САПФИР"», Россия, 117545, Москва, Днепропетровский пр., 4а. Тел. 315-73-68
Крапухин Вячеслав Всеволодович ko-ckb@mail.ru, начальник отдела, ОАО «Московский завод "САПФИР"», Россия, 117545, Москва, Днепропетровский пр., 4а. Тел. 315-73-68
Чишко Владимир Федорович ko-ckb@mail.ru, начальник отдела, ОАО «Московский завод "САПФИР"», Россия, 117545, Москва, Днепропетровский пр., 4а. Тел. 315-73-68
Шлёнский Алексей Александрович ko-ckb@mail.ru, зав. лабораторией, ОАО "Гиредмет", Россия, 119017, Москва, Б. Толмачевский пер., 5
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- фотодиод / антимонид индия / линейка / пленка / эпитаксия
- Год
- 2012 номер журнала 4 Страницы 79 - 82
- Индекс УДК
- УДК 535.247
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Изготовлены и исследованы 64-элементные линейки фотодиодов на жидкофазных гомоэпитаксиальных структурах антимонида индия типа n (пленка) - n+ (подложка) по базовой имплантационной технологии ОАО «Московский завод "САПФИР"». Показана возможность применения таких фотодиодов с одинаковым успехом при облучении как со стороны эмиттера (р+-слоя), так и со стороны подложки.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Djuric Z., Livada B., Jovic V. // Infrared Phys. 1989. V. 29. No. 1. P. 1.
Технологическая документация АГЦ7.340.142 МК, АГЦ7.340.143 МК, АГЦ7.340.144 МК. ОАО «МЗ "САПФИР"».
- Купить
- 100.00 руб
