Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Особенности планарных p+-n-переходов на кремнии и антимониде индия
- Авторы
- Астахов Владимир Петрович ko-ckb@mail.ru, зам. начальника ЦКБ, ОАО «Московский завод "САПФИР"», Россия, 117545, Москва, Днепропетровский пр., 4а.
Тел. 315-73-68
Лихачёв Геннадий Михайлович ko-ckb@mail.ru, заместитель начальника отдела, ОАО «Московский завод "САПФИР"», Россия, 117545, Москва, Днепропетровский пр., 4а. Тел. 315-73-68
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- планарный p-n-переход / антимонид индия / кремний / эксперимент
- Год
- 2012 номер журнала 4 Страницы 83 - 85
- Индекс УДК
- УДК 535.247
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- На основе анализа опубликованных и оригинальных экспериментальных результатов представлены две общие характерные особенности планарных p+-n-переходов на Si и InSb, а именно, наличие эффекта электротренировки и положительное влияние на прямые и обратные ветви ВАХ дополнительного короткозамкнутого близкорасположенного планарного p+-n-перехода. Обсуждены механизмы проявления каждой из этих особенностей и дано предположение о возможности их повторения на планарных p+-n-переходах из других полупроводниковых материалов.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Шокли В., Нойс Р., Саа К. // УФН. 1962. Т. 77. № 3. С. 327.
Астахов В. П., Болесов И. А., Гиндин Д. А. и др. // Прикладная физика. 2002. № 1. C. 48.
Астахов В. П., Карпов В. В., Соловьева Г. С., Талимов А. В.// Там же. 2003. № 3. C. 68.
Астахов В. П., Карпов В. В. Особенности фотодиодов на основе "низкоомного" антимонида индия: Матер. докл. междунар. науч.-техн. семинара "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". - М., 2004.
Астахов В. П., Дудкин В. Ф., Кернер Б. С. и др. // Микроэлектроника. 1989. T. 18. № 5. C. 455.
Астахoв В. П., Варганов С. В., Демидова Л. В. и др. Способ изготовления фотодиодов на антимониде индия. Пат. 1589963 РФ. Действует с 28.04.1994 г.
Астахов В. П., Гиндин Д. А., Карпов В. В. и др. // Прикладная физика. 1999. № 2. C. 73.
Астахов В. П., Гиндин Д. А., Карпов В. В. // Письма в ЖТФ. 1998. T. 24. № 8. C. 72.
Астахов В. П., Данилов Ю. А., Дудкин В. Ф. и др.// Там же. 1992. T. 18. № 3. C. 1.
- Купить
- 100.00 руб
