Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Многоэлементные быстродействующие фотодиоды на основе гетероструктур InGaAs/InP
- Авторы
- Чинарева Инна Викторовна orion@orion-ir.ru, ведущий инженер-технолог, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2
Андреев Дмитрий Сергеевич orion@orion-ir.ru, инженер-технолог 1-й категории, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2
Гришина Татьяна Николаевна orion@orion-ir.ru, главный специалист, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2
Залетаев Николай Борисович orion@orion-ir.ru, ведущий научный сотрудник, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2
Тришенков Михаил Алексеевич orion@orion-ir.ru, профессор, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- матрица / фоточувствительный элемент / гетероэпитаксиальная структура InGaAs/InP / фотолитография / диффузия / плазмохимическое осаждение
- Год
- 2012 номер журнала 4 Страницы 86 - 90
- Индекс УДК
- УДК 621.315.5
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Рассмотрены основные применения матричных InGaAs/InP фотоприемных устройств. Описана технология изготовления матрицы InGaAs/InP фотодиодов. Рассмотрены ключевые операции: плазмохимическое осаждение пленки Si3N4 в качестве просветляющего, защитного и маскирующего покрытия, вскрытие активной области и контактных окон в пленке Si3N4, процесс диффузии, процесс напыления металлических контактов. Указаны основные особенности и параметры технологических режимов.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Ettenberg M. H. et al. // Proc. SPIE. 1999. V. 3701. P. 225.
Ettenberg M. H. et al. // Ibid. 2002. V. 4721. P. 26.
Ettenberg M. H. et al. // Ibid. 2004. V. 5406. P. 52.
Ettenberg M. H. et al. // Ibid. 2003. V. 5074. P. 353.
Brubaker R. M. et al. // Ibid. 2004. V. 5406. P. 21.
Филачёв А. М., Таубкин И. И., Тришенков М. А. Твердотельная фотоэлектроника. Физические основы. - М.: Физматкнига, 2005.
Brubaker R. M. et al. // Proc. SPIE. 2006. V. 6206. P. 620604-1.
А. с. № 308459 от 01.02.90.
Пат. на изобретение 2318272 от 27.02.08.
Ушакова М. Б. Обзор зарубежной литературы за 1993-2000 гг. ФГУП «НПО "Орион"».
Franz G. et. al. // Japanese Journal of Applied Physics. 1990. V. 29. No. 5. P. 712.
Wada M., Seco M. et al. // Japanese Journal of Applied Physics. 1989. V. 28. No. 10. P. 1700.
Курносов А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем - М.: Высшая школа, 1979.
Schitt F., Li Man Su et al. // IEEE Transaction on Electron Devices. 1984. V. ED-31. No. 8.
Lange M. J., Dixon P., Cohen M., Zhao J. // Optoelectronics World. April 2001.
Name J.// J. Cryst. Growth. 1991. V. 114. P. 321.
Demetron GmbH, Hanau, FRG, German patent disclosure DE 2810378 A1.
- Купить
- 100.00 руб
