Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Исследование характеристик спектральной чувствительности фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных структур КРТ
- Авторы
- Яковлева Наталья Ивановна orion@orion-ir.ru, заместитель начальника НИЦ, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2
Болтарь Константин Олегович orion@orion-ir.ru, начальник НТК, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111402, Москва, ул. Косинская, 9. Тел. (495) 374-81-30
Никонов Антон Викторович orion@orion-ir.ru, инженер, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111402, Москва, ул. Косинская, 9. Тел. (495) 374-81-30
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИИ
- Ключевые слова
- гетероэпитаксиальные структуры КРТ / матричные фотоприемные устройства / характеристика спектральной чувствительности / квантовая эффективность
- Год
- 2012 номер журнала 3 Страницы 70 - 78
- Индекс УДК
- УДК 621.383.4/5:621.315.5
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Проведено моделирование характеристики спектральной чувствительности фотодиодов, изготовленных на основе гетероэпитаксиальных структур тройных соединений кадмий-ртуть-теллур (КРТ) с учетом прохождения ИК-излучения через оптические просветляющие покрытия, гетероэпитаксиальные слои КРТ и подложку. Для оценки квантовой эффективности фотодиодов использовались одномерные модели p-n-перехода с длинной и короткой базой. Обработка численными методами спектральных характеристик чувствительности фотодиодов позволила провести оценки длины диффузии неосновных носителей заряда, скорости поверхностной рекомбинации на границах раздела рабочих фоточувствительных слоев КРТ, фотоэлектрической взаимосвязи между соседними фотодиодами матричных фотоприемных устройств, изготовленных на основе ГЭС КРТ, выращенных методами жидкофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Bovina L. A., Boltar K. O., Burlakov I. D., Golovin S. V., Ivanov V. Y., Saginov L. D., Stafeev V. I., Akimov V. M., Klimanov E. A., Lakeenkov V. M., Sidorov Yu. G. // Proc. SPIE. 1998. V. 3819. P. 9.
Акимов В. М., Бурлаков И. Д., Болтарь К. О. Климанов Е. А., Мансветов Н. Г., Пономаренко В. П., Сагинов Л. Д., Соляков В. Н., Стафеев В. И., Тимофеев А. А., Филачев А. М.// Прикладная физика. 2005. № 2. С. 7.
Белов А. Г., Белогорохов А. И., Лакеенков В. М.// ФТП. 2001. Т. 35. №. 8. С. 917.
Варавин В. С., Гутаковский А. К., Дворецкий С. А., Карташев В. А., Латышев А. В., Михайлов Н. Н., Придачин Д. Н., Ремесник В. Г., Рыхницкий С. В., Сабинина И. В., Сидоров Ю. Г., Титов В. П., Швец В. А., Якушев М. В., Асеев А. Л. // Прикладная физика. 2002. № 6. C. 25.
Сидоров Ю. Г., Дворецкий С. А., Варвин В. С. и др. // ФТП. 2001. T. 35. №. 9. C. 1092.
Физика соединений AIIBVI: Cб. статей/ Под ред. А. Н. Георгобиани и М. К. Шейнкмана. - М:. Наука, 1986.
Барышев Н. С. Свойства и применение узкозонных полупроводников. - Казань: Унипресс, 2000.
Boltar К. О., Burlakov I. D., Filachev A. M., Klimanov E. A., Ponomarenko V. P., Solyakov V. N., Stafeev V. I. // Optical Memory and Neural Networks (Information Optics). 2007. V. 16. No. 4. P. 234.
Boltar K. O., Burlakov I. D., Ponomarenko V. P., Yakovleva N. I., Klimanov E. A., Akimov V. M. // Optical Memory and Neural Networks (Information Optics). 2008. V. 17. No. 1. P. 9.
Shokley W. // Bell System Technical Journal. 1949. V. 28. P. 435.
Reine M. B., Sood A. K., Tredwell T. J.// In Semiconductors and Semimetals. 1981. V. 18. Ch. 6. P. 201.
Kinch M. A., Aqariden F., Chandra D., Liao P.-K., Schaake H. F., Shih H. D. // Journal of Electronic Materials. 2005. V. 34. No. 6. P. 880.
Уайт М. Г. Полупроводниковые формирователи сигналов изображения. Часть II. - М.: Мир, 1979.
- Купить
- 100.00 руб
