Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Расчет фотоэлектрических характеристик фотодиодных матричных фотоприемных устройств спектрального диапазона 2,0-3,5 мкм на основе арсенида индия
- Авторы
- Астахов Владимир Петрович ko-ckb@mail.ru, зам. начальника ЦКБ, ОАО «Московский завод "САПФИР"», Россия, 117545, Москва, Днепропетровский пр., 4а.
Тел. 315-73-68
Карпов Владимир Владимирович ko-ckb@mail.ru, главный конструктор - начальник ЦКБ, ОАО «Московский завод "САПФИР"», Россия, 117545, Москва, Днепропетровский пр., 4а. Тел. 315-73-68
Чишко Владимир Федорович ko-ckb@mail.ru, начальник отдела, ОАО «Московский завод "САПФИР"», Россия, 117545, Москва, Днепропетровский пр., 4а. Тел. 315-73-68
Артамонов Антон Вячеславович ko-ckb@mail.ru, инженер, Московский завод "САПФИР", Россия, 117545, Москва, Днепропетровский пр., 4а Тел. (495) 315-73-68
Левшин Владимир Львович , старший научный сотрудник, НПП "Геофизика-Космос", Россия, 107497, Москва, ул. Иркутская, 11, корп. 1
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- расчет / матричное фотоприемное устройство / формат / обнаружительная способность / пороговая мощность
- Год
- 2011 номер журнала 6 Страницы 145 - 148
- Индекс УДК
- УДК 621.3.049.77
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Проведен расчет температурных зависимостей темнового и фонового токов p+-n-пере-ходов с размерами 20x20 мкм, обнаружительной способности в максимуме спектральной чувствительности , а также пороговой мощности P и времени накопления предполагаемого МФПУ формата 640х512 элементов. Показано, что улучшение пороговых параметров при температурах кристалла Т <= 100 К возможно за счет снижения фонового тока, а при Т > 100 К - за счет снижения темнового тока p+-n-переходов.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Астахов В. П., Данилов Ю. А., Дудкин В. Ф., Сидорова Г. Ю., Таубкин И. И., Эскин Ю. М. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. № 3. С. 1.
Астахов В. П., Карпов В. В., Крапухин В. В., Чишко В. Ф., Шленский А. А. Планарные фотодиоды с эффектом Мосса-Бурштейна на основе структур из InSb. // Тезисы докладов XXI междунар. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике. Москва. 2010.
Астахов В. П., Карпов В. В. Особенности фотодиодов на основе "низкоомного" антимонида индия. // Материалы докладов междунар. науч.-техн. семинара "Шумовые и дег- радационные процессы в полупроводниковых приборах". Москва. 2004.
- Купить
