Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Исследование структурного совершенства CdZnTe методами просвечивающей электронной микроскопии
- Авторы
- Денисов Игорь Андреевич labr7@giredmet.ru, заведующий лабораторией, ОАО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет"», Россия, 119017, Москва, Б. Толмачевский пер., 5, стр. 1. Тел. +7 (495) 981-30-10
Смирнова Наталья Анатольевна labr7@giredmet.ru, старший научный сотрудник, ОАО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет"», Россия, 119017, Москва, Б. Толмачевский пер., 5, стр. 1. Тел. +7 (495) 981-30-10
Андрусов Юрий Борисович labr7@giredmet.ru, научный сотрудник, ОАО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет"», Россия, 119017, Москва, Б. Толмачевский пер., 5, стр. 1. Тел. +7 (495) 981-30-10
Резник Владимир Яковлевич labr7@giredmet.ru, старший научный сотрудник, ОАО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет"», Россия, 119017, Москва, Б. Толмачевский пер., 5, стр. 1. Тел. +7 (495) 981-30-10
Меженный Михаил Валерьевич labr7@giredmet.ru, заведующий лабораторией, ОАО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет"», Россия, 119017, Москва, Б. Толмачевский пер., 5, стр. 1. Тел. +7 (495) 981-30-10
- В разделе
- ОБЩАЯ ФИЗИКА
- Ключевые слова
- CdZnTe / просвечивающая электронная микроскопия / нанопреципитат / эпитаксиальная структура
- Год
- 2011 номер журнала 5 Страницы 35 - 40
- Индекс УДК
- УДК 621.315.592:548.4:537.533.35
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Методами ПЭМ проведены исследования особенностей дефектообразования в пластинах КЦТ до и после термообработки. Установлено, что в процессе проведения отжигов пластин, соответствующих режимам получения эпитаксиальных структур, не наблюдается заметного изменения как плотности, так и средних размеров "ростовых" преципитатов, которые можно разбить на три размерные группы. Показано, что мелкие преципитаты (1,5-3,0 нм) представляют собой области, когерентно сопряженные с матрицей КЦТ и сохраняющие последовательность атомных плоскостей решетки. Такие образования представляют собой области с повышенным содержанием атомов Те, являющиеся начальной стадией образования наноразмерных преципитатов теллура.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Li G., Shih S.-J., Huang Y., Wang T., Jie W.// Journal of Crystal Growth. 2008. V. 311. P. 85.
Шматов Н. И., Смирнова Н. А., Белов А. Г., Оранский В. А., Шленский А. А. // Материалы электронной техники. 2006. № 3. С. 28.
Denisov I. A., Lakeenkov V. M., Mazhorova O. S., Smirnova N. A. // Proceeding of SPIE. 2000. V. 4340. P. 223.
Эшби М., Браун Л. Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. - М.: Мир, 1965.
Rai R. S., Mahajan S.//J. Vac. Sci. Technol. B. 1991. V. 1. No. 3. P. 1892.
- Купить
- 100.00 руб
