Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Расчет вольт-фарадных характеристик МДП-структур на основе ГЭС HgCdTe МЛЭ с приповерхностными варизонными слоями с повышенным составом
- Авторы
- Бурлаков Игорь Дмитриевич IDBUR@orion-ir.ru, зам. генерального директора, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2
Войцеховский Александр Васильевич vav@elefot.tsu.ru, зав. кафедрой, Томский государственный университет, Россия, 634050, Томск, пр. Ленина, 36. Тел. (3822) 41-27-72
Несмелов Сергей Николаевич , старший научный сотрудник, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета", Россия, 634050, Томск, пл. Новособорная, 1. Тел. (3822) 41-27-72
Дзядух Станислав Михайлович , , Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета", Россия, 634050, Томск, пл. Новособорная, 1. Тел. (3822) 41-27-72
Селяков Андрей Юрьевич ayusel@mail.ru, старший научный сотрудник, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, Москва, Шоссе Энтузиастов, 46/2. Тел. (495) 374-51-41
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- МДП-структура / теллурид кадмия ртути / молекулярно-лучевая эпитаксия / вольт-фарадная характеристика
- Год
- 2011 номер журнала 5 Страницы 80 - 86
- Индекс УДК
- УДК 621.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Рассчитаны вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе эпитаксиального n-Hg0,77Cd0,23Te с учетом вырождения и непараболичности при разных аппроксимациях значений интегралов Ферми-Дирака. Оценена емкость, связанная с туннелированием через ловушки, для МДП-структур на основе n-Hg0,775Cd0,225Te. В результате численного решения уравнения Пуассона построены вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе эпитаксиального HgCdTe с приповерхностными варизонными слоями, учет наличия которых необходим для правильной интерпретации экспериментальных данных.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Овсюк В. Н., Курышев Г. Л., Сидоров Ю. Г. и др. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. - Новосибирск: Наука, 2001.
Антонов В. В. // Дисс. на соис. ученой степени канд. физ.-мат. наук. - Томск. 1985.
Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Кульчицкий Н. А. // Материалы 16-го Междунар. симпозиума "Тонкие пленки в электронике". - М.: Техномаш. 2004. С.141.
Корн Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. - М.: Наука, 1970.
Фистуль В. И. Сильно легированные полупроводни-ки. - М.: Наука, 1967.
Van Halen P., Pulfrey D. L. // J. Appl. Phys. 1985. V. 57. No. 12. P. 5271.
Van Halen P., Pulfrey D. L. // Ibid. 1986. V. 59. No. 6. P. 2264.
Блекмор Дж. Статистика электронов и дырок в полупроводниках. - М.: Мир, 1964.
Omaggio J. P. // IEEE Transaction on Electron Devices. 1990. V. 37. No. 1. P. 141.
Селяков А. Ю., Пономаренко В. П. // Прикладная физика. 2003. № 2. С. 87.
He W., Celik-Butler Z. // Solid-State Electronics. 1996. V. 39. No. 1. P. 127.
Kinch M. A. // Semiconductors and Semimetals. 1981. V. 18. P. 313ю
Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Сидоров Ю. Г., Васильев В. В. // ФТП. 2008. № 11. С.1327.
Бузанева Е. В. Микроструктуры интегральной электроники. - М.: Радио и связь, 1990.
- Купить
- 100.00 руб
