Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Исследование спектров пропускания многослойных гетероэпитаксиальных структур
- Авторы
- Яковлева Наталья Ивановна orion@orion-ir.ru, заместитель начальника НИЦ, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2
Болтарь Константин Олегович orion@orion-ir.ru, начальник НТК, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111402, Москва, ул. Косинская, 9. Тел. (495) 374-81-30
Никонов Антон Викторович orion@orion-ir.ru, инженер, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111402, Москва, ул. Косинская, 9. Тел. (495) 374-81-30
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- спектры ИК-пропускания / CdHgTe / эпитаксиальные слои / жидкофазная эпитаксия / молекулярно-лучевая эпитаксия
- Год
- 2011 номер журнала 5 Страницы 100 - 106
- Индекс УДК
- УДК 621.383.4/5:621.315.5
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Разработан метод определения характеристик многослойных полупроводниковых структур по спектрам ИК-пропускания, и построена теоретическая математическая модель спектра пропускания, зависящая от коэффициента поглощения и ряда параметров эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур (КРТ). Измерены и исследованы спектры ИК-пропускания эпитаксиальных структур (ЭС) твердых растворов КРТ. ЭС КРТ р-типа проводимости выращивались методами жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) на подложках CdZnTe и молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках GaAs.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Бовина Л. А., Болтарь К. О., Бурлаков И. Д., Головин С. В., Иванов В. Ю., Сагинов Л. Д., Стафеев В. И., Акимов В. М., Климанов Е. А., Лакеенков В. М., Сидоров Ю. Г.// Прикладная физика. 1999. № 3. С. 32.
Акимов В. М., Бурлаков И. Д., Болтарь К. О., Климанов Е. А., Мансветов Н. Г., Пономаренко В. П., Сагинов Л. Д., Соляков В. Н., Стафеев В. И., Тимофеев А. А., Филачев А. М.// Там же. 2005. № 2. С. 7.
Болтарь К. О., Федирко В. А. //Тез. докл. V отраслевой конф. "Аналитические методы исследования материалов и изделий микророэлектроники". - М.: ЦНИИ "Электроника", 1989. С. 169.
Уайт М. Г. Полупроводниковые формирователи сигналов изображения. Пер. с англ. / Под ред. Р. А. Суриса. - М.: Мир, 1979. Часть II.
Борн М., Вольф Э. Основы оптики: Пер. с англ./Под ред. Г. П. Мотулевич. - М.: Наука, 1970.
Болтарь К. О., Яковлева Н. И., Кашуба А. С., Удалова А. Г..// Прикладная физика. 2008. № 1. С. 26.
Lubzens D., Rosenfeld D., Nemirovsky Y. T//Infrared Phys. 1988. V. 28. No. 6. P. 417.
Бурдуков Ю. М., Гашимзаде Ф. М., Гольдберг Ю. А., Гореленок А. Т., Гуткин А. А., Емельяненко О. В., Именков А. Н., Кесаманлы Ф. П., Колчанова Н. М., Лагунова Т. С., Левинштейн М. Е., Негрескул В. В., Седов В. Е., Талалакин Г. Н., Уханов Ю. И. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение. - М.: Наука, 1973.
Шматов Н. И., Смирнова Н. А., Белов А. Г., Оранский В. А., Шленский А. А.// Материалы электронной техники. 2006. № 3. С. 28.
- Купить
- 100.00 руб
