Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Влияние γ-облучения на электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов p-TlInSe2 /n-TlSe<Ge>
- Авторы
- Абасова Аделя Зияаддин кызы msrahim@mail.ru, научный сотрудник, Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, Азербайджан, АZ1143, г. Баку, ул. Ф. Агаева, 9. Тел. (99412) 438-32-24
Мадатов Рагим Салим оглы msrahim@mail.ru, руководитель лаборатории, Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, Азербайджан, АZ1143, г. Баку, ул. Ф. Агаева, 9. Тел. (99412) 438-32-24
Наджафов Арзу Ислам оглы msrahim@mail.ru, ст. научный сотрудник, Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, Азербайджан, АZ1143, г. Баку, ул. Ф. Агаева, 9. Тел. (99412) 438-32-24
Газанфаров Муслим Рагим оглы msrahim@mail.ru, ст. научный сотрудник, Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, Азербайджан, АZ1143, г. Баку, ул. Ф. Агаева, 9. Тел. (99412) 438-32-24
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- гетеропереход / генерационный ток / радиационный дефект / фототок / стойкость
- Год
- 2011 номер журнала 5 Страницы 112 - 117
- Индекс УДК
- УДК 621:383
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Рассматривается влияние γ-квантов на механизм переноса тока в гетероструктуре p-TlInSe2 /n-TlSe<Ge>. Выявлено, что взаимодействие радиационных дефектов с исходными дефектами кристаллов приводит к перестройке и перераспределению дефектов на границе раздела гетероперехода. Это сводится к незначительному изменению генерационно-рекомбинационных процессов в механизмах токопереноса. Аномальные дозовые зависимости характеристик гетеропереходов объяснены изменением степени компенсации уровней на границе раздела и в базе структуры.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Muller D., Hahn H. //Allgem. Chem. 1978. V. 438. P. 2-58.
Guseinov G., Ramanzade A. M., Kerimova E. M., Ismai-lov M. Z. // Phys. Stat. Sol. 1967. V. 22. P. 117.
Mooser E., Pirson W. // Phys. Rev. 1956. V. 101. P. 4-92.
Mimura K., Wakita K., Arita M., Mamedov N., Orudzhev G., Taguchi Y., Ichikawa K., Namatame H., Taniguchi M.//J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 2007. V. 379. P. 156.
Guseinov G. D., Abdullaev G. B., Bidzinova S. M. Ismailov M. Z., Seidov F. M., Pashaev A. M.// Phys. Lett. 1970. V. 33A. P. 421.
Капович И. А., Червова И. А., Леонов Е. Н. // Изв. вуз. СССР. Физика. 1972. № 5. С. 157.
Ахмедов А. М., Бахышов А. Э., Лебедев А. А.// ФТП. 1978. Т. 12. Вып. 3. С. 520.
Алексеев И. В. //Там же. 1998. Т. 32. Вып. 5. С. 5-88.
Гусейнов Г. Д., Алиев В. А., Наджафов А. И.// Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1981. Т. 17. Вып. 5. С. 802.
Вавилов В. С., Ухин Н. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. - М.: Атомиздат, 1969.
Мадатов Р. С., Наджафов А. И., Мамедов В. С., Мамедов М. А//. Изв. НАН Азерб. 2008. Т. ХХV11. № 2. С. 100.
Берман Л. С. Емкостные методы исследования полупроводников. - Л., 1972.
Kerimova E., Mustafaeva S., Guseinova D., Mamedov T., Babaev S., Salaev E., Allakverdiev K. // Phys. Stat. Solid. 2000. V. 179. P. 199.
Абуталыбов Г. И., Джафарова Н. А., Рагимова С. В.// ФТП. 1992. Т. 26. Bып. 9. С. 1643.
Абдуллаев Г. Б., Абасова А. З., Горшков А. М., Заитов Ф. А., Стафеев В. И., Салаев Э. Ю., Шаляпина Г. М. // ФТП. 1982. Т. 16. Вып. 6. С. 1136.
Мадатов Р. С., Наджафов А. И., Тагиев Т. Б., Газанфаров М. Р. // Изв. НАН Азерб. 2008. Т. ХХХ. № 2. С. 64.
Шелег А. У., Иодковская К. В., Родин С. В.// ФТТ. 1997. Т. 39. С. 1088.
- Купить
- 100.00 руб
