Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- ОПТИМИЗАЦИЯ СВЧ-САМОСОВМЕЩЕННЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР НА ЧИСТОМ КРЕМНИИ И МАЛОШУМЯЩЕГО ШИРОКОПОЛОСНОГО УСИЛИТЕЛЯ ДЛЯ РАДИОПЕРЕДАЮЩИХ ИС С ЭЛЕМЕНТАМИ МЭМС. Часть 3. (Часть 1 см. 2011. № 1. С. 78-84; часть 2 - 2011. № 2. С. 20-27)
- Авторы
- Вернер Виталий Дмитриевич tc@tcen.ru, д-р физ.-мат. наук, председатель научно-технического совета, ФГУ НПК "Технологический центр" МИЭТ, Москва, Россия Тел. 8 (499) 734-45-21
Сауров Александр Николаевич tc@tcen.ru, д-р техн. наук, чл.-кор. РАН, директор, ФГУ НПК "Технологический центр" МИЭТ, Москва, Россия Тел. 8 (499) 734-45-21
Метельков Павел Вячеславович pavel_metelkov@mail.ru, инженер, Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва, Россия Тел. 8 (499) 732-63-09
Луканов Николай Михайлович N. Loukanov@tcen.ru, д-р техн. наук, ведущий научный сотрудник, ФГУ НПК "Технологический центр" МИЭТ, Москва, Россия Тел. (499) 720-87-79
- В разделе
- ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА И ОБОРУДОВАНИЕ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА. РАДИОТЕХНИКА. ЭЛЕКТРОНИКА
- Ключевые слова
- конструктивно-технологические особенности / СВЧ-самосовмещенные транзисторные структуры (ССТС) / СВЧ полностью самосовмещенные транзисторные структуры (СПСТС) / n(р)-канальные полевые транзисторы / чистый Si / радиопередающие ИС с рабочей частотой 5 / 2 ГГц
- Год
- 2011 номер журнала 3 Страницы 11 - 20
- Индекс УДК
- УДК 621.3.049.77
- Код EDN
- Код DOI
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Приведены конструктивные и технологические особенности изготовления биполярных СВЧ-cамосовмещенных транзисторных структур, полностью самосовмещенных транзисторных структур и n(р)-канальных полевых структур. Транзисторы предназначены для создания монолитных малошумящих широкополосных усилителей (МШУ) на чистом кремнии для радиочастотных ИС с рабочей частотой 5,2 ГГц.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Вернер В. Д., Луканов Н. М., Сауров А. Н., Метельков П. В. Оптимизация СВЧ-самосовмещенных транзисторных структур на чистом кремнии и малошумящего широкополосного усилителя для радиопередающих ИС с элементами МЭМС. Часть 1 // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. - М.: ФГУП "ВИМИ", 2011. № 1. С. 78-84.
Вернер В. Д., Луканов Н. М., Сауров А. Н., Метельков П. В. Оптимизация СВЧ-самосов-мещенных транзисторных структур на чистом кремнии и малошумящего широкополосного усилителя для радиопередающих ИС с элементами МЭМС. Часть 2 // Там же. 2011. № 2. С. 20-27.
Italia A., Ragonese E., Girlando G. et аl. A 5-GHz monolithic silicon bipolar down-converter with a 3.2-dB noise figure // IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium. (U.S.A., Pennsylvania, June (7-13), 2003). 2003. P. 453 - 456.
Луканова Н. Н., Луканов Н. М. Конструктивно-топологическое проектирование самосовмещающихся субмикронных сверхтонкослойных транзисторных структур с улучшенными параметрами // Сб. науч. тр. МИЭТ "Физика, технология и схемотехника СБИС". - М.: МИЭТ. Зеленоград, 1989. C. 80-93.
А. с. 439863 СССР. Способ изготовления активных элементов интегральных схем / Луканов Н. М., Лебедев В. В., Любушкин Е. Н., Шварц К.-Г. М., Щербинин А. А. Опубл. 19.04.74 (приоритет от 13.07.70).
А. с. 708885 СССР. Способ изготовления интегральных структур с боковой диэлектрической изоляцией / Луканов Н. М., Петрова В. З., Воронов С. А., Чиликина Т. Д. Опубл. 14.09.79 (приоритет от 12.04.78).
А. с. 749287 СССР. Способ изготовления транзисторных структур / Луканов Н. М. Опубл. 12.03.80 (приоритет от 03.11.78).
А. с. 1132734 СССР. Способ изготовления самосовмещенных транзисторных структур с диэлектрической изоляцией / Луканов Н. М.. Опубл. 01.09.84 (приоритет от 05.08.83).
Lukanov N. M. et al. Bipolar VLSI based on self-aligned transistor structures // Electronic Engineering. Series Microelectronics. 1991. Issue 1 (1). News from Soviet "Silicon Valley". (Зеленоград, НПО "Научный центр"), 1991. P. 54, 55.
А. с. 1660533 СССР. Способ формирования областей боковой диэлектрической изоляции различной глубины / Луканов Н. М., Путря М. Г. Опубл. 01.03.91 (приоритет от 06.05.88).
- Купить
