Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Современное состояние и новые направления полупроводниковой ИК-фотоэлектроники. Часть 2
- Авторы
- Корнеева Марина Дамировна orion@orion-ir.ru, первый зам. гендиректора, ГНЦ РФ ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111402, Москва, ул. Косинская, 9. Тел. (499) 374-88-41
Филачёв Анатолий Михайлович orion@orion-ir.ru, генеральный директор, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111402, Москва, ул. Косинская, 9. Тел. (495) 374-81-30
Пономаренко Владимир Павлович orion@orion-ir.ru, зам. генерального директора, профессор, ФГУП «НПО "Орион"», ГНЦ РФ; Московский физико-технический институт, Россия, 111402, Москва, ул. Косинская, 9; Россия, 141700, г. Долгопрудный МО, Институтский пер., 9
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- фотоэлектроника / тепловидение / многоспектральный / кадмий-ртуть-теллур / антимонид индия / твердый раствор / халькогениды свинца / обнаружительная способность / матричный / быстродействующий / метаматериал / наноразмерный
- Год
- 2011 номер журнала 3 Страницы 82 - 90
- Индекс УДК
- УДК 621.383
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Рассмотрено современное состояние и научно-технологические предпосылки развития ряда базовых технологий инфракрасной фотоэлектроники: полупроводниковых фоточувствительных материалов, твердотельных фотопреобразователей для ИК-, УФ- и терагерцовой областей электромагнитного излучения, многоспектральных и быстродействующих приборов, метаматериалов и нанотехнологий для создания новых классов оптико-электронной аппаратуры. Представлены результаты создания ряда фотоприемных устройств, смотрящих и ВЗН-матриц из Cd02Hg08Te, InSb, InGaAs, GaPAs, PbS, PbSe, Si и Ge для областей спектра 8-12, 3-5, 1-2 мкм с числом элементов 2×96, 2×256, 4×288, 2×(2×288), 6×576, 128×128, 256×256, 320×256, 384×288 и других систем цифровой обработки и синтеза изображений, матричных формирователей тепловизионного видеосигнала на их основе.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Destefanis G., Tribolet P. Advanced MCT Technologies in France // Proc. SPIE, 2007. V. 6542. Р. 65420D1-65420D16.
Kinch M. A. 50Years of HgCdTe at Texas Instruments and Beyond // Ibid. V. 7298. P. 72982T1-72982T23.
Tribolet P., Destefanis G., Ballet P., Baylet J., Gravrand O., Rothman J. Advanced HgCdTe technologies and dualband developments // Ibid. 2008. V. 6940. P. 69402P-69402P14.
Elliott T. Recollection MCT Work in UK and Sauthampton // Ibid. 2009. V. 7298. P. 72982M-72982M23.
Bratt P. R., Johnson S. M., Rhiger D. R., Tung T., Kalisher M. H., Radford W. A., Garwood G. A., Cockrum C. A. Historical perspectives on HgCdTe material and device development at Raytheon Vision Systems // Ibid. V. 7298. P. 72982U1-72982U35.
Горелик Л. И., Полесский А. В., Тренин Д. Ю., Сорокин А. Н. Экспериментальная апробация алгоритма обработки слабоконтрастных тепловизионных изображений в двухдиапазонной системе. Тр. 51-й науч. конф. Моск. физико-техн. института. - М.: Изд-во МФТИ, 2008.- 227 с.
Хохлов Д. Р. Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов // УФН. 2006. Т. 176. № 6. С. 983-986.
Демьяненко М. А., Есаев Д. Г., Овсюк В. Н., Фомин Б. И., Асеев А. Л., Князев Б. А., Кулипанов, Г. Н., Винокуров Н. А. Матричные болометрические приемники для инфракрасного и терагерцового диапазонов // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 5-11.
Курбатов Л. Н. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра. - М.: Изд-во МФТИ, 1999.
Веселаго В. Г. Электродинамика веществ с одновременно отрицательными значениями ε и μ // УФН. 1967. Т. 22. Вып. 3. С. 517-526.
Sihvola A. Metamaterials in electromagnetics // Metamaterials. 2007. 1. Р. 2-11.
Кононов А. С., Куликов К. М., Пономаренко В. П., Свиридов А. Н., Седнев М. В., Селиванов А. С., Филачёв А. М. Оптико-электронное устройство для управления оптическим излучением на основе метаматериала с наноразмерным металлическим слоем // Прикладная физика. 2010. № 2. С. 120-125.
Sellar R. G., Boreman G. D. Classification of imaging spectrometers for remote sensing applications // Optical Enginee-ring. 2005. No. 44(1).
Салмин Е. А., Пономаренко В. П., Стафеев В. И. Полевой транзистор со структурой МТДП на основе кадмий-ртуть-теллур // ФТП. 1988. Т. 22. Вып. 6. С . 1142-1144.
Damnjanović V., Ponomarenko V. P., Elazar J. M. Electrical haracteristics of HgCdTe Schottky diode photo-detectors with passivation layers transparent to free carriers // Semicond. Sci. Technol. 2007. V. 22. Р. 137-144.
Damnjanović V., Ponomarenko V. P., Elazar J. M. Photo-electric characteristics of HgCdTe tunnel MIS photo-detectors // Ibid. 2009. V. 24. P. 1-6.
- Купить
- 100.00 руб
