Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Многоэлементные приемники терагерцового излучения на CdHgTe
- Авторы
- Гуменюк-Сычевская Жанна Виталиевна , старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, Украина, 03028, г. Киев, пр. Науки, 41. Тел. (044) 525-18-10
Сизов Федор Федорович sizov@isp.kiev.ua, зав. отделением, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, Украина, 03028, г. Киев, пр. Науки, 41. Тел./факс. (3844) 525-18-10
Апатская Мария Владимировна , научный сотрудник, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, Украина, 03028, г. Киев, пр. Науки, 41. Тел./факс. (3844) 525-18-10
Забудский Вячеслав Владимирович , старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, Украина, 03028, г. Киев, пр. Науки, 41. Тел./факс. (3844) 525-18-10
Момот Наталия Ивановна , аспирант, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, Украина, 03028, г. Киев, пр. Науки, 41. Тел./факс. (3844) 525-18-10
Смолий Мария Ивановна , научный сотрудник, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, Украина, 03028, г. Киев, пр. Науки, 41. Тел./факс. (3844) 525-18-10
Цыбрий Зиновия Федоровна , старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, Украина, 03028, г. Киев, пр. Науки, 41. Тел./факс. (3844) 525-18-10
Дворецкий Сергей Алексеевич ifp@isp.nsc.ru, ведущий научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск, Россия, Россия, 630090, г. Новосибирск, пp. Ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 333-39-50. Факс: (383) 333-27-71
Михайлов Николай Николаевич ifp@isp.nsc.ru, старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск, Россия, Россия, 630090, г. Новосибирск, пp. Ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 333-39-50. Факс: (383) 333-27-71
Сахно Николай Вадимович , студент, Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Украина, 01601, Киев, ул. Владимирская, 64
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- терагерцовый диапазон / болометр на горячих электронах / антенны / многоэлементный приемник / NEP
- Год
- 2011 номер журнала 2 Страницы 61 - 66
- Индекс УДК
- УДК 681.7, 537.5
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Материалы конференций
- Аннотация
- Предложен полупроводниковый КРТ-болометр на эффекте разогрева электронного газа, который можно использовать для детектирования терагерцового и миллиметрового излучения. Оцененная эквивалентная шумовая мощность детектора сравнима по величине с NEP других известных неохлаждаемых терагерцовых приемников и составляет при комнатной температуре и нулевом смещении порядка 5·10-9 Вт/Гц1/2, а при Т =77 К порядка 8·10-10 Вт/Гц1/2. Проведен расчет распределения поля, наведенного планарной антенной, в системе антенна-детектирующий элемент.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Сидоров Ю. Г., Дворецкий С. А., Варавин В. С., Михайлов Н. Н., Якушев М. В., Сабинина И. В. Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов кадмий-ртуть-теллур на "альтернативных" подложках // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. Вып. 9. С. 1092-1101.
Dobrovolsky V., Sizov F., Zabudsky V., Momot N. // Terahertz Science and Technology. 2010. V. 3. No. 1. P. 33.
Sizov F. F., Dobrovolsky V., Zabudsky V., Kamenev Yu., Momot N., Gumenjuk-Sychevska J.//Proc. of SPIE. 2009. V. 7309.
Bozhevolnyi S., Lozovski V. Self-consistent model for second-harmonic near-field microscopy // Phys. Rev. B. 2000. V. 61. P. 11139.
Milligan T. Modern antenna design. 2nd ed. IEEE press, Wiley Interscience, New Jersey, 2005.
Gonzalez F. J., Boreman G. D. Comparison of dipole, bowtie, spiral and log-periodic IR antennas//Infrared Physics & Technology. 2005. V. 46. P. 418.
Makarov S. Antenna and EM modeling with MATLAB, Wiley Interscience, New York, 2002.
Dobrovolsky V. N., Sizov F. F. A room temperature, or moderately cooled, fast THz semiconductor hot electron bolometer//Semicond. Sci. Technol. 2007. V. 22. P. 103.
- Купить
- 100.00 руб
