Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Многомодульное линейчатое фотоприемное устройство 4×(2×192) на основе InAs МДП-структур для систем теплопеленгации
- Авторы
- Ли Ирлам Игнатьевич Irlamlee@isp.nsc.ru, ведущий научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, пp. ак. Лавpентьева, 13
Половинкин Владимир Григорьевич , старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, пp. ак. Лавpентьева, 13
Базовкин Владимир Михайлович , научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова, Россия, 630090, г. Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 333-35-06
Валишева Наталья Александровна , старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова, Россия, 630090, г. Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 333-35-06
Гузев Александр Александрович , ведущий научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова, Россия, 630090, г. Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 333-35-06
Ефимов Валерий Михайлович , старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова, Россия, 630090, г. Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 333-35-06
Ковчавцев Анатолий Петрович , ведущий научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова, Россия, 630090, г. Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 333-35-06
Курышев Георгий Леонидович kur.@isp.nsc.ru, зав. лабораторией, Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова, Россия, 630090, г. Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 333-35-06
Строганов Александр Сергеевич , ведущий инженер, Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова, Россия, 630090, г. Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 333-35-06
Мирзоева Лариса Александровна , главный конструктор, ФГУП «НПК "ГОИ им. С. И. Вавилова"», Россия, 199034, Санкт-Петербург, Биржевая линия, 12
Маковцов Геннадий Анатольевич , зам. главного конструктора, ФГУП «НПК "ГОИ им. С. И. Вавилова"», Россия, 199034, Санкт-Петербург, Биржевая линия, 12
Пролыгин Евгений Владимирович , начальник лаборатории, ФГУП «НПК "ГОИ им. С. И. Вавилова"», Россия, 199034, Санкт-Петербург, Биржевая линия, 12
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- ИК-фотоприемное устройство / гибридный модуль / InAs / ПЗИ / фотодиод
- Год
- 2011 номер журнала 2 Страницы 67 - 72
- Индекс УДК
- УДК 535.247.049.7: 621.383.52
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Материалы конференций
- Аннотация
- Представлены конструкция и параметры фотоприемного устройства (ФПУ) спектрального диапазона 1,1-3 мкм на основе линейки InAs конденсаторов формата 2×192. Фотоприемное устройство может работать как с системой охлаждения микрокриогенной машины МСМГ-3В-1/80 , так и в обычном заливном азотном криостате. Конструкция гибридного модуля обеспечивает стыкуемость 4 модулей без оптических зазоров в направлении сканирования.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Базовкин В. М., Валишева Н. А., Гузев А. А., Ефимов В. М., Ковчавцев А. П., Курышев Г. Л., Ли И. И., Строганов А. С. Гибридное фотоприемное устройство на основе линейки 1×384 InAs МДП-структур для спектрометрических применений // Прикладная физика. 2003. № 6. С. 85.
Ли И. И., Базовкин В. М., Валишева Н. А., Гузев А. А., Ефимов В. М., Ковчавцев А. П., Курышев Г. Л., Половинкин В. Г., Строганов А. С., Царенко А. В. Многоэлементные гибридные ИК-фотоприемные устройства на основе приборов с инжекцией заряда. Часть 1. Принципы считывания сигналов с ПЗИ фотоприемников // Автометрия. 2007. № 4. С. 25.
Ли И. И., Базовкин В. М., Валишева Н. А., Гузев А. А., Ефимов В. М., Ковчавцев А. П., Курышев Г. Л., Половинкин В. Г., Строганов А. С., Царенко А. В. Многоэлементные гибридные ИК-фотоприемные устройства на основе приборов с инжекцией заряда. Часть 2. Тепловизионные системы с элементами на InAs // Там же. С. 36
Ковчавцев А. П., Курышев, Г. Л. Базовкин В. М., Валишева Н. А., Гузев А. А., Ли И. И., Ковалевская Т. Е., Панова З. В., Ефимов В. М. Монографии "Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона". Глава 1. Фотоприемники зарядовой инжекции на арсениде индия. - г. Новосибирск: Наука, 2001.
Курышев Г. Л., Ли И. И., Базовкин В. М., Валишева Н. А., Гузев А. А., Ефимов В. М., Ковчавцев А. П., Половинкин В. Г., Строганов. А. С. Предельные параметры многоэлементных гибридных МДП ИК-ФПУ на InAs и приборов на их основе // Прикладная физика. 2009. № 2. C. 79.
- Купить
- 100.00 руб
