Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Генерация второй оптической гармоники в гетероэпитаксиальных структурах теллурида кадмия-ртути
- Авторы
- Кашуба Алексей Сергеевич , ведущий инженер-технолог, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2
Бурлаков Игорь Дмитриевич IDBUR@orion-ir.ru, зам. генерального директора, ФГУП «НПО "Орион"», Россия, 111123, Москва, ш. Энтузиастов, 46/2
Демин Андрей Васильевич demin@vniiofi.ru, ведущий научный сотрудник, ФГУП "ВНИИОФИ", Россия, 119361, Москва, ул. Озерная, 46. Тел. (495) 781-45-74
Заботнов Станислав Васильевич zabotnov@vega.phys.msy.ru, научный сотрудник, МГУ им. М. В. Ломоносова (физический факультет), Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, 1. Тел. (495) 939-15-66
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- генерация второй оптической гармоники / теллурид кадмия-ртути (КРТ) / гетероэпитаксиальные структуры
- Год
- 2011 номер журнала 2 Страницы 103 - 106
- Индекс УДК
- УДК 621.383; 621.315.5
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Материалы конференций
- Аннотация
- Экспериментально исследована генерация второй оптической гармоники (ГВГ) в гетероэпитаксиальных структурах теллурида кадмия-ртути (КРТ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs. Измерены зависимости интенсивности сигнала ГВГ от направления поляризации излучения накачки и позиции лазерного луча на исследуемых образцах как для монокристаллического слоя КРТ, так и для нанесенного на него функционального поликристаллического слоя CdTe. В первом случае сигнал строго детерминирован монокристалличностью и кристаллографической ориентацией слоя КРТ, а во втором - меняется от точки к точке из-за неоднородности структуры поликристаллического слоя CdTe.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Пономаренко В. П. // УФН. 2003. Т. 173. № 6. С. 649-665.
Kinch M. A. Fundamentals of Infrared Materials. - Washington: SPIE Press, 2007.
Якушев М. В., Брунев Д. В., Варавин В. С., Дворецкий C. А. и др.//Автометрия. 2009. Т. 45. № 4. С. 23-31.
Vilela M. F., Lofgreen D. D., Smith E. P. G., Newton M. D. et al.//J. Electronic Materials. 2008. V. 37. No. 9. Р. 1465-1470.
Varavin V. S., Vasiliev V. V., Dvoretsky S. A., Michalov N. N. et al.//Opto-Electron. Rev. 2003. V. 11. No. 3. Р. 99-111.
Головин С. В., Бурлаков И. Д.//Пат. 2298251 РФ от 13.10.2005
Сиротин Ю. И., Шаскольская М. П. Основы кристаллофизики. - М.: Наука, 1975.
Шен И. Р. Принципы нелинейной оптики. - М.: Наука, 1989.
Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. - М.: Наука, 1978.
- Купить
- 100.00 руб
