Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Влияние γ-облучения на электрофизические параметры светодиодов на основе InGaN/GaN
- Авторы
- Грушко Наталья Сергеевна hatabovich@mail.ru, профессор, Ульяновский государственный университет, Россия, 432000, г. Ульяновск, ул. Льва Толстого, 42. Тел. (8422) 73-00-67
Солонин Александр Павлович hatabovich@mail.ru, ведущий инженер, Ульяновский государственный университет, Россия, 432000, г. Ульяновск, ул. Льва Толстого, 42. Тел. (8422) 73-00-67
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- светодиоды / квантовые ямы / концентрационный профиль / квантовый выход
- Год
- 2011 номер журнала 1 Страницы 92 - 95
- Индекс УДК
- УДК 621.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Проведено исследование светодиодов InGaN/AlGaN/GaN на стандартной подложке SiC [KPT-1608 PBC (SMD)] с двумя квантовыми ямами и активным слоем InxGa1-xN c х = 0,21. Установлено влияние γ-облучения на концентрационный профиль мелкой примеси и концентрацию глубоких уровней. Определены величина компенсированной области и градиента концентрации. Выявлена возможность увеличения КПД светодиода и его яркости.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Mukai T., Yamada M., Nakamura S.// Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V. 38. P. 3976-3981.
Амброзевич С. А., Лакалин А. В., Солонин А. П. Вольт-емкостные исследования светодиодов на основе гетероструктуры InGaN/GaN// Ученые записки УлГУ. Сер. физическая. 2005. Вып. 1(17). С. 54-58.
Грушко Н. С., Лакалин А. В., Солонин А. П. Яркость голубых светодиодов на основе GaN// Неорганические материалы. 2008. Т. 44. № 2. С. 181-183.
Берман Л. С. Емкостные методы исследования полупроводников. - Л.: Наука, 1972.
Грушко Н. С., Потанахина Л. Н. Вольт-фарадные характеристики структур на основе твердого раствора InGaN// Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2007. Т. 73. № 2. С. 45-50.
Эльмуратова Д. Б., Ибрагимова Э. М.. Усиление электролюминесценции кристаллов ZnSe(Te, O) после γ-облу-чения// ФТП. 2007. Т. 41. Вып. 10. С. 1153-1157.
Грушко Н. С., Дуванова Н. В., Логинова Е. А. Структуры InGaN/SiC с модулированным легированием// Ученые записки УлГУ. Сер. физическая. 2004. Вып. 1(16). С. 30-39.
Грушко Н. С., Солонин А. П. Эффективность излучения голубых светодиодов на основе InGaN/GaN// Тр. Междунар. конф. "Опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы". - Ульяновск, 2006. С. 206.
Грушко Н. С., Потанахина Л. Н. Спектры электролюминесценции и коэффициент полезного действия светодиодов на основе твердого раствора InGaN// Прикладная физика. 2007. № 6. С. 5-8.
Лисовский И. П., Индутний И. З. и др. Усиление фотолюминесценции структур с нанокристаллическим кремнием, стимулированное низкодозовым γ-облучением// ФТП. 2008. Т. 42. № 5. С. 591-594.
Сизов В. С., Гуткин А. А. и др. Фазовый распад и безызлучательная рекомбинация носителей в активных областях светоизлучательных приборов на основе квантовых точек InGaN в матрице GaN или AlGaN// ФТП. 2009. Т. 43. № 6. С. 836-840.
- Купить
- 100.00 руб
