Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Отклик нелинейной системы (на примере туннельного диода) на внешние возмущения большой амплитуды
- Авторы
- Камилов Ибрагимхан Камилович , директор, Институт физики ДНЦ РАН, Россия, 367003, г. Махачкала, ул. М. Ярагского, 94. Тел. 8 (8722) 62-66-50
Алиев Камиль Минкаилович , зав. лабораторией, Институт физики ДНЦ РАН, Россия, 367003, г. Махачкала, ул. М. Ярагского, 94. Тел. 8 (8722) 62-66-50
Ибрагимов Хаджимурат Омарович khmurat@iwt.ru, научный сотрудник, Институт физики ДНЦ РАН, Россия, 367003, г. Махачкала, ул. М. Ярагского, 94. Тел. 8 (8722) 62-66-50
Абакарова Наида Сулеймановна , научный сотрудник, Институт физики ДНЦ РАН, Россия, 367003, г. Махачкала, ул. М. Ярагского, 94. Тел. 8 (8722) 62-66-50
- В разделе
- ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА
- Ключевые слова
- нелинейная система / внешние возмущения / большая амплитуда
- Год
- 2011 номер журнала 1 Страницы 126 - 129
- Индекс УДК
- УДК 621.315.592
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Экспериментально исследовано влияние внешних когерентных или шумовых возмущений большой амплитуды на поведение динамических и статических вольтамперных характеристик туннельных диодов. Показано, что при подборе соответствующей частоты с ростом амплитуды внешнего когерентного сигнала на вольтамперных характеристиках туннельных диодов появляются многозначности и абсолютное отрицательное сопротивление. Шумовое воздействие приводит к подавлению отрицательного дифференциального сопротивления N-типа.
- Полный текст статьи
- Для прочтения полного текста необходимо купить статью
- Список цитируемой литературы
-
Mantegna R. N., Spagnola B.// Phys. Rev. E. 1994. V. 49. P. R1792.
Анищенко В. С., Нейман А. Б., Мосс Ф., Шиманский-Гайер Л.// УФН. 1999. № 169. С. 7.
Камилов И. К., Алиев К. М., Ибрагимов Х. О., Абакаро-ва Н. С.// Письма в ЖТФ. 2004. № 30. С. 25.
Schöll E. Nonlinear Spatio-temporal Dynamics and Chaos in Semiconductors. - Cambridge: Cambridge University Press. 2000.
Erlbach E.//Phys. Rev. 1963.V. 132. P. 1976.
Астров Ю. А. Кастальский А. А.// ФТП. 1972. № 6. С. 323.
Гершензон М. Е., Фалей М. И.// Письма в ЖЭТФ. 1986. № 44. С. 529.
Завьялов Д. Е., Крючков С. В.// ФТП . 2001. № 35. С. 575.
Dakhnovskii Yu., Metiu H.// Phys. Rev. B. 1995. V. 51. P. 4193.
Быков А. А., Исламов Д. Р., Номоконов Д. В., Бакаров А. К.// Письма в ЖЭТФ. 2007. № 86. С. 695.
Рыжий В. И.// ФТТ. 1969. № 11. С. 2577.
Романов Ю. А., Романов Ю. Ю.// Тез. VI Российской конф. по физике полупроводников, С.-Петербург, 27- 31 октября 2003 г.
Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. - М.: Наука, 1977.
Kamilov I. K., Aliev K. M., Ibragimov Kh. O., Abakarova N. S.// J. Phys.: Condens. Matter. 2001. V. 13. P. 4-519.
Усанов Д. А., Вениг С. Б., Орлов В. Е.// Письма в ЖЭТФ. 1999. № 25. С. 3-9.
Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Угрюмова Н. В. и др.// ФТП . 2000. № 34. С. 5-67.
Unkelbach J., Amann A., Just W., Scholl E.// arXiv:cond-mat/0303385. 2003. V. 1.
- Купить
- 100.00 руб
