Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Исследование электрофизических свойств МДП-структур на основе ГЭС КРТ МЛЭ
- Авторы
- Якушев Максим Витальевич , старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Россия, 630090, г. Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева,13
Войцеховский Александр Васильевич vav@elefot.tsu.ru, зав. кафедрой, Томский государственный университет, Россия, 634050, Томск, пр. Ленина, 36. Тел. (3822) 41-27-72
Васильев Владимир Васильевич alpred@thermo.isp.nsc.ru, заведующий лабораторией, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, просп. Ак. Лаврентьева, 13. Тел. (783) 333-10-82
Несмелов Сергей Николаевич , старший научный сотрудник, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета", Россия, 634050, Томск, пл. Новособорная, 1. Тел. (3822) 41-27-72
Дзядух Станислав Михайлович , , Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета", Россия, 634050, Томск, пл. Новособорная, 1. Тел. (3822) 41-27-72
Михайлов Николай Николаевич ifp@isp.nsc.ru, старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск, Россия, Россия, 630090, г. Новосибирск, пp. Ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 333-39-50. Факс: (383) 333-27-71
Варавин Василий Семенович ifp@isp.nsc.ru, старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 330-49-67
Сидоров Юрий Георгиевич ifp@isp.nsc.ru, зав. отделом, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13. Тел. (383) 330-49-67
Дворецкий Сергей Алексеевич dvor@isp.nsc.ru, ведущий научный сотрудник, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, пр. Академика Лаврентьева, 13
Машуков Юрий Петрович , ведущий инженер, Институт физики полупроводников СО РАН, Россия, 630090, Новосибирск, пр. Академика Лаврентьева, 13
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- МДП-структура / теллурид кадмия ртути / электрофизические характеристики
- Год
- 2010 номер журнала 6 Страницы 95 - 99
- Индекс УДК
- УДК 621.315
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Проведены экспериментальные исследования электрофизических характеристик МДП-структур на основе HgCdTe/CdTe, HgCdTe/CdTe/SiO2/Si3N4 и HgCdTe/CdTe/ZnTe. Для всех структур были определены значения плотностей фиксированного и подвижного зарядов в диэлектрике, а также рассчитана плотность поверхностных состояний вблизи середины запрещенной зоны. Показано, что наилучшая граница раздела наблюдается при использовании в качестве функционального диэлектрика CdTe, сформированного в процессе выращивания гетероэпитаксиальных структур.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Рогальский А. Инфракрасные детекторы: Пер. с англ./ Под ред. А. В. Войцеховского. - Новосибирск: Наука, 2003.
Овсюк В. Н., Курышев Г. Л., Сидоров Ю. Г. и др. Матричные фотоприемники инфракрасного диапазона. - Новосибирск: Наука, 2001.
Войцеховский А. В., Давыдов В. Н. Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников. - Томск: Радио и связь,1990.
Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М.// Известия вузов. Физика. 2005. № 6. С. 31.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Энергия, 1973.
Колешко В. М., Каплан Г. Д.// Обзоры по электронной технике. 1977. № 2 (465).
Kinch M. A.// Semiconductors and Semimetals. 1981. V. 18. P. 313.
- Купить
