Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Название статьи
- Применение воздействия ионных пучков на структуры "пленка-подложка" в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем
- Авторы
- Шауцуков Александр Ганибалович , доцент, Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х. М. Бербекова, Россия, 360004, г. Нальчик, ул. Чернышевского, 173. Тел. 8 (8662) 77-18-88
- В разделе
- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
- Ключевые слова
- ионный пучок / технология / полупроводниковая электроника
- Год
- 2010 номер журнала 6 Страницы 104 - 108
- Индекс УДК
- УДК 621.382
- Код EDN
- Код DOI
- Финансирование
- Тип статьи
- Научная статья
- Аннотация
- Работа посвящена применению воздействия ионных пучков на структуры "пленка-подложка" для усовершенствования технологии формирования активных структур кристаллов мощных высоковольтных транзисторов, лавинно-пролетных диодов, систем металлизации ряда изделий полупроводниковой электроники.
- Полный текст статьи
- Необходимо зарегистрироваться, чтобы получить доступ к полным текстам статей и выпусков журналов!
- Список цитируемой литературы
-
Шауцуков А. Г., Кузнецов Г. Д. Моделирование процесса одновременного легирования атомами отдачи и бомбардирующими ионами при бомбардировке структур "пленка-подложка"// Нано- и микросистемная техника. 2006. № 9. С. 36-39.
Шауцуков А. Г., Кузнецов Г. Д. Возможность формирования наноразмерных слоев легированных атомами отдачи под воздействием ионных пучков// Электроника и электрооборудование транспорта. 2007. № 6. С. 34-46.
Шауцуков А. Г. Современное представление о возможных механизмах адгезии металлических пленок к различным подложкам// Прикладная физика. 2006. № 5. С. 16-22.
Шауцуков А. Г. Влияние ионной бомбардировки на адгезию металлических пленок к различным подложкам и некоторые свойства контактной системы золото-молибден-кремний: Дис. ... канд. техн. наук. - М.: МИС и С, 1980.
Шауцуков А. Г., Горелик С. С. и др. Ионная бомбардировка как метод улучшения качества контактной системы золото-молибден-кремний: В сб. Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем, 3-я отраслевая науч.-техн. конф. - Воронеж, 1978. С. 57-60.
Мазель Е. З. Мощные транзисторы. - М.: Энергия, 1969.
Фесюк К. Л., Старков В. И. и др. Исследование и разработка процесса диффузии галлия для создания базы высоковольтных кремниевых приборов. Сборник "Технология полупроводниковых приборов". - Таллин: Валгус, 1982.
Шауцуков А. Г., Никитенко В. А. и др. Способ создания базовых областей мощных высоковольтных транзисторов// А. с. № 1290951, СССР. 1985.
Шауцуков А. Г., Никитенко В. А. Формирование базовых областей мощных высоковольтных транзисторов путем одновременного легирования атомами отдачи и бомбардирующими ионами// Электронная техника. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. 1990. №. 3. С. 40, 41.
Шауцуков А. Г., Никитенко В. А. и др. Способ создания базовых областей планарных мощных высоковольтных транзисторов// А. с. № 1426347, СССР. 1986.
Сорокин Н. Н., Никитенко В. А. Шауцуков А. Г. Влияние имплантированной примеси на дискретность пленок оксида кремния при отжиге в аргоне// Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1988. С. 68-71.
Шауцуков А. Г., Шухостанов А. К. Разработка технологии создания р+-, р-областей двухпролетных ЛПД методом ионного легирования// Там же. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1988. №. 1 (51). С. 62-68.
Шауцуков А. Г., Кузнецов Г. Д. Разработка алгоритмов моделирования процесса формирования р++-, р+-, р-слоев двухпролетных ЛПД со ступенчатым профилем легирования// Прикладная физика. 2007. № 2. С. 12-15.
- Купить
